MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (209/794 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 17,5 A, 20 V, 8-tüskés, PowerDI3333-8 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 12 V - 25 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMP2006UFG-7

kezdő: HUF 172 151,00*
2 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17,5 A, 20 V, 8-tüskés, PowerDI3333-8 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 12 V - 25 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMP2006UFG-7

kezdő: HUF 1 978,20*
20 db-ként

Infineon IPW65R190CFD tranzisztor 650 V (2 ajánlat)

Infineon

IPW65R190CFDFKSA1

kezdő: HUF 1 066,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17,5 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ CFD Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon CoolMOS

Infineon

IPW65R190CFD

kezdő: HUF 2 375,20*
4 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17,5 A, 950 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP20N95K5

kezdő: HUF 1 408,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17,5 A, 950 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP20N95K5

kezdő: HUF 6 050,20*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17,5 A, 950 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW20N95K5

kezdő: HUF 1 312,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17,5 A, 950 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW20N95K5

kezdő: HUF 8 910,90*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17.4 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 17.4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális...

Vishay

SIHB21N80AE-GE3

kezdő: HUF 554,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17.4 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E (1 ajánlat)

A Vishay e sorozatú teljesítmény MOSFET D2PAK (TO-263) tokozással rendelkezik, 17.4 A-es elvezető árammal.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (Co(er)) Kevesebb kapcsolási...

Vishay

SIHB21N80AE-GE3

kezdő: HUF 586,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17.4 A, 800 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres (3 ajánlat)

E sorozatú MOSFET tápegység.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (Co) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség ALKALMAZÁSOK Kiszolgálók és telekommunikációs eszközök tápe...

Vishay

SIHG21N80AE-GE3

kezdő: HUF 876,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17.4 A, 800 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 17.4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = TO-247AC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...

Vishay

SIHG21N80AE-GE3

kezdő: HUF 2 317,70*
2 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17.4 A, 800 V, 3-tüskés, TO-247AD Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 17.4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = TO-247AD Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...

Vishay

SIHW21N80AE-GE3

kezdő: HUF 1 144,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17.4 A, 800 V, 3-tüskés, TO-247AD Egyszeres (1 ajánlat)

Vishay

SIHW21N80AE-GE3

kezdő: HUF 2 360,50*
2 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 170 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-220AB Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = N...

ROHM Semiconductor

RX3P10BBHC16

kezdő: HUF 1 336,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 .. 794 előre

MOSFET-ek (11 900 cikk)