Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 991 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 17,5 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ CFD Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Infineon CoolMOS
Infineon
IPW65R190CFD
kezdő: HUF 2 318,50*
4 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 17,5 A, 950 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STP20N95K5
kezdő: HUF 1 398,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 17,5 A, 950 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STP20N95K5
kezdő: HUF 5 958,00*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 17,5 A, 950 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STW20N95K5
kezdő: HUF 1 305,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 17,5 A, 950 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STW20N95K5
kezdő: HUF 8 902,90*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 17.4 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 17.4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális...
Vishay
SIHB21N80AE-GE3
kezdő: HUF 550,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 17.4 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E (1 ajánlat) 
A Vishay e sorozatú teljesítmény MOSFET D2PAK (TO-263) tokozással rendelkezik, 17.4 A-es elvezető árammal.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (Co(er)) Kevesebb kapcsolási...
Vishay
SIHB21N80AE-GE3
kezdő: HUF 583,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 17.4 A, 800 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres (3 ajánlat) 
E sorozatú MOSFET tápegység.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (Co) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség ALKALMAZÁSOK Kiszolgálók és telekommunikációs eszközök tápe...
Vishay
SIHG21N80AE-GE3
kezdő: HUF 869,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 17.4 A, 800 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 17.4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = TO-247AC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...
Vishay
SIHG21N80AE-GE3
kezdő: HUF 2 299,70*
2 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 17.4 A, 800 V, 3-tüskés, TO-247AD Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 17.4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = TO-247AD Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...
Vishay
SIHW21N80AE-GE3
kezdő: HUF 1 145,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 17.4 A, 800 V, 3-tüskés, TO-247AD Egyszeres (1 ajánlat) 
E sorozatú MOSFET tápegység.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (Co) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség ALKALMAZÁSOK Kiszolgálók és telekommunikációs eszközök tápe...
Vishay
SIHW21N80AE-GE3
kezdő: HUF 2 343,50*
2 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 170 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-220AB Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = N...
ROHM Semiconductor
RX3P10BBHC16
kezdő: HUF 1 338,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 170 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-220AB Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = N...
ROHM Semiconductor
RX3P10BBHC16
kezdő: HUF 1 656,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH170N10P
kezdő: HUF 3 204,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH170N10P
kezdő: HUF 2 629,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   211   212   213   214   215   216   217   218   219   220   221   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.