MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (217/794 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 500 V, 3-tüskés, TO-3PN HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)

IXYS

IXFQ60N50P3

kezdő: HUF 2 429,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

N-channel MDmesh™ M5 sorozat STMicroelectronics. Az MDmesh M5 teljesítmény MOSFET-eket a nagy teljesítményű PFC és PWM topológiákra optimalizálták. A fő funkciók közé tartozik az egy szilíciumterül...

ST Microelectronics

STD8N65M5

kezdő: HUF 2 428,90*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 48 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 X2-Class Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS X2-osztályú sorozat. Az IXYS X2 osztályú Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöltéssel ren...

IXYS

IXTH48N65X2

kezdő: HUF 2 427,00*
db-ként

MOSFET, 26 A, 1200 V, TO-247N (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa = Furatszerelt

ROHM Semiconductor

SCT4062KEC11

kezdő: HUF 2 427,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZXMN2F34FHTA

kezdő: HUF 2 425,50*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247 STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW120NF10

kezdő: HUF 2 425,40*
5 db-ként

MOSFET, 26 A, 1200 V, TO-247-4L (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4L Rögzítés típusa = Furatszerelt

ROHM Semiconductor

SCT4062KRC15

kezdő: HUF 2 425,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 29 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 NTH SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = NTH Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás = ...

onsemi

NTH4L080N120SC1

kezdő: HUF 2 424,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) MDmesh M5 Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STB42N65M5

kezdő: HUF 2 422,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 76 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ P7 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 76 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = CoolMOS™ P7 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellená...

Infineon

IPW60R037P7XKSA1

kezdő: HUF 2 420,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 170 mA, 100 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve

Diodes

BSS123W-7-F

kezdő: HUF 2 415,70*
100 db-ként

SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat)

Az STMicroelectronics autóipari osztályú szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET-EK a V-ellenálláshoz képest igen kis mértékben eltérő teljesítményt és szórást is megadnak hőmérséklet. Nagyon magas üze...

ST Microelectronics

SCT10N120AG

kezdő: HUF 2 413,60*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 88 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 88 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 200 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek szám...

Infineon

IPB110N20N3LFATMA1

kezdő: HUF 2 413,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3-tüskés, TO-92 (1 ajánlat)

Csomag típusa = TO-92 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális teljesítménydisszipáció = 350 mW Elemek száma chipenként = 1

onsemi

BS170-D75Z

kezdő: HUF 2 411,70*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 300 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...

onsemi

2N7002KW

kezdő: HUF 2 410,10*
100 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 .. 794 előre

MOSFET-ek (11 900 cikk)