Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 920 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☑
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 650 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...
ROHM Semiconductor
R6504END3TL1
kezdő: HUF 251,00*
db-ként
kezdő: HUF 251,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 690 mA, 100 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFL9110TRPBF
kezdő: HUF 251,00*
db-ként
kezdő: HUF 251,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 100 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI3333–8 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerDI3333–8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ny...
Diodes
DMT47M2LDVQ-13
kezdő: HUF 251,00*
db-ként
kezdő: HUF 251,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 2 elem/chip, 5,4 A, 6,4 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Izolált Si (1 ajánlat) 
Két N/P-csatornás MOSFET, Diodes Inc.
Diodes
ZXMC3A16DN8TA
kezdő: HUF 251,00*
db-ként
kezdő: HUF 251,00*
db-ként
 
 db
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 22 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 22 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma...
Infineon
IPD11DP10NMATMA1
kezdő: HUF 252,00*
db-ként
kezdő: HUF 252,00*
db-ként
 
 db
Nexperia
PSMN4R3-30BL,118
kezdő: HUF 252,00*
db-ként
kezdő: HUF 252,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 60V - 80 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat...
Infineon
IRF7855TRPBF
kezdő: HUF 252,00*
db-ként
kezdő: HUF 252,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 38 A, 40 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 38 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = LFPAK, SOT-669 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális ny...
onsemi
NTMYS010N04CLTWG
kezdő: HUF 252,00*
db-ként
kezdő: HUF 252,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 65.8 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET® Gen IV (1 ajánlat) 
A Vishay SiR106ADP-T1-RE3 egy N-csatornás 100 V (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET Nagyon kis RDS-Qg jósági tényező (FOM) A legkisebb RDS-Qoss FOM-tényezőhöz hangolva 100 %-...
Vishay
SiR106ADP-T1-RE3
kezdő: HUF 252,00*
db-ként
kezdő: HUF 252,00*
db-ként
 
 db
Infineon
IPB60R360P7ATMA1
kezdő: HUF 252,00*
db-ként
kezdő: HUF 252,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 8 A, 52 A, Picostar YSE 6 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 52 A Csomag típusa = Picostar YSE 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Texas Instruments
CSD83325LT
kezdő: HUF 252,00*
db-ként
kezdő: HUF 252,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 26 A, 60 V, 8-tüskés, DFN NVMFD5C680NL (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = NVMFD5C680NL Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...
onsemi
NVMFD5C680NLT1G
kezdő: HUF 253,00*
db-ként
kezdő: HUF 253,00*
db-ként
 
 db
MOSFET tranzisztor + dióda, 1 elem/chip, 4 A, 950 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) CoolMOS™ P7 (1 ajánlat) 
A Infineon IPU95R2K0P7 a nagyfeszültségű MOSFET arénában egyre növekvő fogyasztói igények kielégítésére készült, a legújabb 950V Cool MOS P7 technológia az alacsony teljesítményű SMPS piacra összpo...
Infineon
IPU95R2K0P7AKMA1
kezdő: HUF 253,00*
db-ként
kezdő: HUF 253,00*
db-ként
 
 db
MOSFET tranzisztor, 52 A, 100 V, PG-TO252-3 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 52 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = PG-TO252-3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Infineon
SP005737452
kezdő: HUF 253,00*
db-ként
kezdő: HUF 253,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220 QFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
QFET® N-csatornás MOSFET, több mint 31A Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb műk...
onsemi
FQP30N06L
kezdő: HUF 253,00*
db-ként
kezdő: HUF 253,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   211   212   213   214   215   216   217   218   219   220   221   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.