MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (218/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Összehasonlító ár

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 40 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 STripFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás STripfFET™ MOSFET teljesítményerősítő STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással ...

ST Microelectronics

STL60P4LLF6

kezdő: HUF 214,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP9NK60Z

kezdő: HUF 214,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9 A, 950 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 950 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma ...

Infineon

IPD95R750P7ATMA1

kezdő: HUF 214,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 100 A, 30 V, 12-tüskés, PowerPAIR 3 x 3FS (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerPAIR 3 x 3FS Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 12 Elemek ...

Vishay

SIZF5302DT-T1-RE3

kezdő: HUF 214,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 20 A, 40 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 kettős OptiMOS™ -T2 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = OptiMOS™ -T2 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...

Infineon

IPG20N04S408AATMA1

kezdő: HUF 214,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 60 A, 25 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SCD Közös elvezető (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 25 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8SCD Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximáli...

Vishay

SISF02DN-T1-GE3

kezdő: HUF 214,00*
db-ként

Infineon IPP040N06N tranzisztor 60 V (3 ajánlat)

Infineon

IPP040N06NAKSA1

kezdő: HUF 214,00*
db-ként

MOSFET, 85 A, 40 V, PG-TO252-3-313 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 85 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PG-TO252-3-313 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Infineon

IPD85P04P407ATMA2

kezdő: HUF 214,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC SQ Rugged Egyszeres Si (2 ajánlat)

AEC-Q101. N csatornás MOSFET, Robusztus SQ autóipari, Vishay Semiconductor. A Vishay Semiconductor SQ MOSFET-sorozatait az összes olyan autóipari alkalmazáshoz tervezték, ahol a zavartűrés a nagyfo...

Vishay

SQ4850EY-T1-GE3

kezdő: HUF 215,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 105 A, 20 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 105 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növekm...

Vishay

SIR5211DP-T1-GE3

kezdő: HUF 215,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 IPP082N10NF2S (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = IPP082N10NF2S Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális kapu küszöbfeszü...

Infineon

IPP082N10NF2SAKMA1

kezdő: HUF 215,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2.6 A, 12 V, 3-tüskés, SOT-23 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonys��gát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a ...

onsemi

FDN306P

kezdő: HUF 43,00*
db-ként

kezdő: HUF 215,00*
5 db-ként

Infineon BSC076N04ND tranzisztor 40 V (1 ajánlat)

Infineon

BSC076N04NDATMA1

kezdő: HUF 215,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25,5 A, 80 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L SiJ128LDP (2 ajánlat)

A Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET nagyon alacsony QG és Qoss teljesítményveszteséggel és jobb hatékonysággal rendelkezik. A QG és Qoss nagyon alacsony teljesítménnyel csökkenti az áramvesztesége...

Vishay

SiJ128LDP-T1-GE3

kezdő: HUF 215,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF540SPBF

kezdő: HUF 215,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 915 cikk)