![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
Kép | | | | Megrendelés |
![](/p.gif) |
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 6 V, 3-tüskés, TO-252 Si (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 6 V Csomag típusa = TO-252 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekm... |
ROHM Semiconductor RD3R02BBHTL1 |
kezdő: HUF 246,00* db-ként |
|
|
|
ROHM Semiconductor R6507KND3TL1 |
kezdő: HUF 246,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 246,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 246,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 246,00* db-ként |
|
|
MOSFET, 8 A, 30 V, SO-8 HEXFET (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Furatszerelt |
|
kezdő: HUF 246,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 246,00* db-ként |
|
|
MOSFET, 7,5 A, 30 V, 8-tüskés, MLPAK33 (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7,5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = MLPAK33 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 |
|
kezdő: HUF 246,225* 5 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 247,00* db-ként |
|
|
|
Infineon ISC015N04NM5ATMA1 |
kezdő: HUF 247,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 247,00* db-ként |
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (2 ajánlat) Ez az IGBT a Advanced PowerMESH™ eljárást használja, ami kiváló kompromisszumot jelent a kapcsolási teljesítmény és az alacsony on-line viselkedés között.A feszültségesésnél alacsonyabb (VCE(sat)) ... |
ST Microelectronics STGP8NC60KD |
kezdő: HUF 247,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 247,00* db-ként |
|
|
|
ST Microelectronics STD35NF06LT4 |
kezdő: HUF 247,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 247,00* db-ként |
|
|