Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 900 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (2 ajánlat) 
Ez az IGBT a Advanced PowerMESH™ eljárást használja, ami kiváló kompromisszumot jelent a kapcsolási teljesítmény és az alacsony on-line viselkedés között.A feszültségesésnél alacsonyabb (VCE(sat)) ...
ST Microelectronics
STGP8NC60KD
kezdő: HUF 253,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 650 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...
ROHM Semiconductor
R6504END3TL1
kezdő: HUF 253,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 950 V, 3-tüskés, TO-252 CoolMOS™ P7 (1 ajánlat) 
A Infineon a nagyfeszültségű MOSFET arénában a növekvő fogyasztói igények kielégítésére készült, legújabb 950V CoolMOS™ P7 technológia az alacsony teljesítményű SMPS piacra összpontosít. A 950V Coo...
Infineon
IPD95R2K0P7ATMA1
kezdő: HUF 253,00*
db-ként
MOSFET, 18 A, 25 V, PG-TISON-8 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = Dual N Maximális folyamatos nyelőáram = 18 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 25 V Csomag típusa = PG-TISON-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Infineon
BSC0911NDATMA1
kezdő: HUF 253,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 42 A, 75 V, 3-tüskés, DPAK HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 42 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 75 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes...
Infineon
IRFR2607ZTRPBF
kezdő: HUF 253,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 69,4 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 69,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna ...
Vishay
SIS184LDN-T1-GE3
kezdő: HUF 253,00*
db-ként
MOSFET, 24 A, 650 V, PG-TO252-3 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 24 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = PG-TO252-3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Infineon
IPD60R360PFD7SAUMA1
kezdő: HUF 253,00*
db-ként
MOSFET, 31 A, 650 V, PG-TO 252-3 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 31 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = PG-TO 252-3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Infineon
IPD60R280PFD7SAUMA1
kezdő: HUF 253,00*
db-ként
Infineon IPD60N10S4-12 tranzisztor 100 V (1 ajánlat)
Infineon
IPD60N10S412ATMA1
kezdő: HUF 253,00*
db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 72 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8L Egyszeres (1 ajánlat) 
Gépjármű N-Channel 80 V (D-S) 175 °C MOSFET.TrenchFET® power MOSFET
Vishay
SQJA78EP-T1_GE3
kezdő: HUF 254,00*
db-ként
Infineon BSC155N06ND tranzisztor 250 V (1 ajánlat)
Infineon
BSC155N06NDATMA1
kezdő: HUF 254,00*
db-ként
MOSFET tranzisztor + dióda, 1 elem/chip, 4 A, 950 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) CoolMOS™ P7 (1 ajánlat) 
A Infineon IPU95R2K0P7 a nagyfeszültségű MOSFET arénában egyre növekvő fogyasztói igények kielégítésére készült, a legújabb 950V Cool MOS P7 technológia az alacsony teljesítményű SMPS piacra összpo...
Infineon
IPU95R2K0P7AKMA1
kezdő: HUF 254,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 170 mA, 400 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-243AA DN2540 Egyszeres (2 ajánlat) 
A DN2540 egy kis küszöbértékű, kiürítéses üzemmódú (normál esetben bekapcsolt) tranzisztor, amely egy fejlett, függőleges DMOS-struktúrát és jól bevált szilíciumkapu-gyártási folyamatot alkalmaz. E...
Microchip Technology
DN2540N8-G
kezdő: HUF 254,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 150 V, 8-tüskés, HSMT8 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = HSMT8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növek...
ROHM Semiconductor
RH6R025BHTB1
kezdő: HUF 254,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 6.4 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220AB E (2 ajánlat) 
A Vishay SI690N60E-GEO3 e sorozatú teljesítmény MOSFET.Negyedik generációs e-sorozatú technológia Alacsony érdem Alacsony effektív kapacitás Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség Lavinaenergia-...
Vishay
SIHP690N60E-GE3
kezdő: HUF 254,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   221   222   223   224   225   226   227   228   229   230   231   ..   794   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.