Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 915 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247AC E Series Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, E-sorozat, alacsony érdemű, Vishay Semiconductor. Az E sorozatú Power MOSFET-ek a Vishay cégtől nagy feszültségű tranzisztorok, amelyek ultraalacsony maximális ellenállással, al...
Vishay
SIHG20N50E-GE3
kezdő: HUF 733,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247AC E Series Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, E-sorozat, alacsony érdemű, Vishay Semiconductor. Az E sorozatú Power MOSFET-ek a Vishay cégtől nagy feszültségű tranzisztorok, amelyek ultraalacsony maximális ellenállással, al...
Vishay
SIHG20N50E-GE3
kezdő: HUF 20 606,00*
25 db-ként
Infineon IRF9Z34N tranzisztor 12 V (3 ajánlat)
Infineon
IRF9Z34NPBF
kezdő: HUF 123,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 55 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET 40 V - 55 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumoka...
Infineon
IRF9Z34NPBF
kezdő: HUF 5 031,20*
50 db-ként
Infineon IPD15N06S2L-64 tranzisztor 55 V (1 ajánlat)
Infineon
IPD15N06S2L64ATMA2
kezdő: HUF 83,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 55 V, 3-tüskés, TO-252 OptiMOS™ Si (1 ajánlat) 
Az Infineon OptiMOS termékek nagy teljesítményű csomagokban kaphatók, hogy a legnagyobb kihívást jelentő alkalmazásokat is kezelni lehessen, így korlátozott helyeken is teljes rugalmasságot biztosí...
Infineon
IPD15N06S2L64ATMA2
kezdő: HUF 83,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220 QFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
QFET® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működési teljesít...
onsemi
FQPF27P06
kezdő: HUF 419,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220F QFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
QFET® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működési teljesít...
onsemi
FQPF27P06
kezdő: HUF 21 928,10*
50 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (3 ajánlat) 
EF sorozatú MOSFET gyors testdiódával.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Kis bemenőkapacitás (Ciss) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség ALKALMAZÁSOK Kiszolgálók és telekommunikációs eszközök ...
Vishay
SIHB22N60EF-GE3
kezdő: HUF 598,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 19 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...
Vishay
SIHB22N60EF-GE3
kezdő: HUF 4 217,00*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 19 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális ny...
Vishay
SIHD186N60EF-GE3
kezdő: HUF 446,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
EF sorozatú MOSFET gyors testdiódával.4. Generációs E sorozatú technológia Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (Co) ALKALMAZÁSOK Kiszolgálók és telekommunikációs eszközök...
Vishay
SIHD186N60EF-GE3
kezdő: HUF 3 422,40*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 19 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
Vishay
SIHA22N60EF-GE3
kezdő: HUF 567,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (1 ajánlat) 
EF sorozatú MOSFET gyors testdiódával.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Kis bemenőkapacitás (Ciss) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség ALKALMAZÁSOK Kiszolgálók és telekommunikációs eszközök ...
Vishay
SIHA22N60EF-GE3
kezdő: HUF 4 107,60*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres (2 ajánlat) 
EF sorozatú MOSFET gyors testdiódával.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Kis bemenőkapacitás (Ciss) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség ALKALMAZÁSOK Kiszolgálók és telekommunikációs eszközök ...
Vishay
SIHP22N60EF-GE3
kezdő: HUF 512,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   221   222   223   224   225   226   227   228   229   230   231   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.