MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (229/801 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF9540SPBF

kezdő: HUF 4 603,60*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (3 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF9540PBF

kezdő: HUF 236,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF9540PBF

kezdő: HUF 17 839,50*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 100 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 DMT10 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 19 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = DMT10 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráselle...

Diodes

DMT10H4M5LPS-13

kezdő: HUF 2 586,20*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 19 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1

Infineon

IMW120R140M1HXKSA1

kezdő: HUF 1 601,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 (1 ajánlat)

Infineon

IMW120R140M1HXKSA1

kezdő: HUF 2 011,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres SiC (1 ajánlat)

Wolfspeed Silicon Carbide teljesítmény MOSFET-ek. Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ és C3M™ Szilícium-Carbide teljesítmény MOSFET-ek. A második generációs SIC MOSFET-ek széles választéka a Cree teljesítményté...

Wolfspeed

C2M0160120D

kezdő: HUF 134 521,50*
30 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres SiC (2 ajánlat)

Wolfspeed

C2M0160120D

kezdő: HUF 3 509,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 IMZ1 Si (2 ajánlat)

A TO247-4 tokozású Infineon CoolSiC™ 140 V, 1200 m-es SIC MOSFET a csúcstechnológiás Trench Semiconductor folyamatra épül, amely a teljesítményt és a megbízhatóságot ötvözi. A hagyományos szilícium...

Infineon

IMZ120R140M1HXKSA1

kezdő: HUF 1 755,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 IMZ1 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 19 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásel...

Infineon

IMZ120R140M1HXKSA1

kezdő: HUF 2 063,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 150 V, 8-tüskés, MLP8 PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 10A 19.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMC86240

kezdő: HUF 347,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 150 V, 8-tüskés, MicroFET 2 x 2 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 10A 19.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMC86240

kezdő: HUF 440,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220F QFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

QFET® N-csatornás MOSFET, 11A - 30A, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működé...

onsemi

FQPF19N20C

kezdő: HUF 300,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220F QFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

FQPF19N20C

kezdő: HUF 970,40*
5 db-ként

Infineon IRF6785 tranzisztor 60 V (1 ajánlat)

Infineon

IRF6785MTRPBF

kezdő: HUF 477,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 221 222 223 224 225 226 227 228 229 230 231 .. 801 előre

MOSFET-ek (12 007 cikk)