MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (236/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 250 V, 3-tüskés, TO-247 Trench (2 ajánlat)

N-csatornás Trench-Gate MOSFET, IXYS. Árajtó Mosfet Technológia Alacsony Bekapcsolt Állapot RDS(be) Zavartűrés felsőbbrendű lavinánál

IXYS

IXTH110N25T

kezdő: HUF 2 106,00*
db-ként

Infineon IPW65R065C7 tranzisztor 650 V (2 ajánlat)

Infineon

IPW65R065C7XKSA1

kezdő: HUF 2 105,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 40 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás STripfFET™ MOSFET teljesítményerősítő STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással ...

ST Microelectronics

STL60P4LLF6

kezdő: HUF 2 102,90*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 FP CoolMOS™ Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 18 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolMOS™ Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...

Infineon

IPB60R040CFD7ATMA1

kezdő: HUF 2 101,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 3,4 A, 55 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Izolált Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET 40 V - 55 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumoka...

Infineon

IRF7342TRPBF

kezdő: HUF 2 100,80*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 150 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 150V - 600 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokb...

Infineon

IRFS4615TRLPBF

kezdő: HUF 2 100,40*
5 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 20 V, 6-tüskés, TSOP-6 SQ Rugged Egyszeres Si (1 ajánlat)

AEC-Q101. N csatornás MOSFET, Robusztus SQ autóipari, Vishay Semiconductor. A Vishay Semiconductor SQ MOSFET-sorozatait az összes olyan autóipari alkalmazáshoz tervezték, ahol a zavartűrés a nagyfo...

Vishay

SQ3460EV-T1_GE3

kezdő: HUF 2 098,00*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolSiC Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 39 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...

Infineon

IMW65R048M1HXKSA1

kezdő: HUF 2 097,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 5.5 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220AB QFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

QFET® N-csatornás MOSFET, max. 5,9 A, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működ...

onsemi

FQP6N80C

kezdő: HUF 2 095,40*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 100 V, 3-tüskés, TO-92 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZVN3310A

kezdő: HUF 2 090,40*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 86 A, 55 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...

Infineon

IRL3705ZSTRLPBF

kezdő: HUF 2 089,40*
8 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

A készülék ″Base-sziget″ elrendezésű Planar-technológiával készül. A tranzisztor kivételes teljesítményt és nagyon alacsony szaturációs feszültséget mutat.A készülék járműipari alkalmazáshoz minősí...

ST Microelectronics

STD1802T4

kezdő: HUF 2 089,10*
25 db-ként

MOSFET, 211 A, 700 V, PG-TO220-3 (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 211 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Csomag típusa = PG-TO220-3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Infineon

IPP65R041CFD7XKSA1

kezdő: HUF 2 089,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 800 V, 3-tüskés, XP-67 2SK Egyszeres Si (1 ajánlat)

MOSFET N-csatornás, 2SK sorozatú Toshiba

Toshiba

2SK4013,S5Q(J

kezdő: HUF 2 086,80*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolSiC Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás...

Infineon

IMZA65R083M1HXKSA1

kezdő: HUF 2 086,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 996 cikk)