Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 996 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 68 A, 80 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 68 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = WDFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
onsemi
NTTFS6H850NTAG
kezdő: HUF 1 297,48*
5 db-ként
 
 csomagok
MOSFET, 1 elem/chip, 68 A, 80 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres (1 ajánlat) 
Kereskedelmi célú MOSFET-teljesítménytranzisztor 3 x 3 mm méretű, lapos kivezetéses tokban, kompakt és hatékony kialakításokhoz tervezve, kiváló termikus teljesítménnyel.Jellemzők Alacsony bekapcso...
onsemi
NTTFS6H850NTAG
kezdő: HUF 2 880,30*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 68 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh M2 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-channel MDmesh™ M2 sorozat, STMicroelectronics. Nagyteljesítményű MOSFET-ek széles választéka az STMicroelektrronics cégtől. Alacsony kapupakítási töltéssel és kiváló kimeneti kapacitásokkal az M...
ST Microelectronics
STW70N60M2
kezdő: HUF 2 770,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 68 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh M2 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-channel MDmesh™ M2 sorozat, STMicroelectronics. Nagyteljesítményű MOSFET-ek széles választéka az STMicroelektrronics cégtől. Alacsony kapupakítási töltéssel és kiváló kimeneti kapacitásokkal az M...
ST Microelectronics
STW70N60M2
kezdő: HUF 2 544,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 68 A, 60 V, 9-tüskés, DirectFET izometrikus HEXFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 68 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 9 Maximális nyelő forráselle...
Infineon
AUIRF7648M2TR
kezdő: HUF 787,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 68 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 68 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4L Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forráse...
onsemi
NTH4L022N120M3S
kezdő: HUF 4 272,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 68 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 68 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4L Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forráse...
onsemi
NTH4L022N120M3S
kezdő: HUF 5 609,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 670 mA, 200 V, 3-tüskés, SOT-223 QFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
QFET® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működési teljesít...
onsemi
FQT3P20TF
kezdő: HUF 117,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 670 mA, 200 V, 3-tüskés, SOT-223 QFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
QFET® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működési teljesít...
onsemi
FQT3P20TF
kezdő: HUF 783,20*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 67.5 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 (2 ajánlat) 
A Vishay N-csatornás 100 V-os (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8 tokozással rendelkezik.TrenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET Nagyon alacsony RDS x QG érték-of-Merit (FOM) A legalacsonyabb RDS x Qoss FOM-re...
Vishay
SiR882BDP-T1-RE3
kezdő: HUF 1 045,115*
5 db-ként
 
 csomagok
MOSFET, 1 elem/chip, 67.5 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 67.5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ...
Vishay
SiR882BDP-T1-RE3
kezdő: HUF 348,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 67,4 A, 70 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S (2 ajánlat) 
A Vishay N-csatornás 70 V-os (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S tokozással rendelkezik.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET Nagyon alacsony RDS x QG érték-of-Merit (FOM) A legalacsonyabb RDS x ...
Vishay
SiSS76LDN-T1-GE3
kezdő: HUF 171,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 67,4 A, 70 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 67,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 70 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximáli...
Vishay
SiSS76LDN-T1-GE3
kezdő: HUF 162,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 67,4 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SH TrenchFET Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 67,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
Vishay
SiSH536DN-T1-GE3
kezdő: HUF 68,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 67,4 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SH TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 67,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
Vishay
SiSH536DN-T1-GE3
kezdő: HUF 167,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   241   242   243   244   245   246   247   248   249   250   251   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.