Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 915 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 100 V, 7-tüskés, TO-263-7L Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 150 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-263-7L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Csatorna mód = ...
Vishay
SUM70042M-GE3
kezdő: HUF 1 622,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 100 V, 8-tüskés, HSOF-8 OptiMOS™ 5 Szilikon (1 ajánlat) 
A Infineon n csatornás MOSFET üzemi hőmérséklete 175 °C, lavinája pedig 100 százalék.RoHS-kompatibilis és AEC Q101 minősítésű
Infineon
IAUT150N10S5N035ATMA1
kezdő: HUF 423,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 100 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 OptiMOS™ 5 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 150 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = OptiMOS™ 5 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...
Infineon
ISC0802NLSATMA1
kezdő: HUF 1 632 070,00*
5 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 100 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 OptiMOS™ 5 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 150 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = OptiMOS™ 5 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...
Infineon
ISC0802NLSATMA1
kezdő: HUF 332,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 150 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN180N15P
kezdő: HUF 7 585,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 150 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN180N15P
kezdő: HUF 78 573,60*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 20 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 Egyszeres (1 ajánlat) 
Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy az RDS (BE) funkció minimális legyen, és ugyanakkor kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson. Ez az eszköz ideális a notebook akkumulátor energi...
Diodes
DMP2003UPS-13
kezdő: HUF 830,725*
5 db-ként
 
 csomagok
MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 20 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 150 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = PowerDI5060-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ny...
Diodes
DMP2003UPS-13
kezdő: HUF 1 688,00*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 20 V, DirectFET IZOMETRIKUS HEXFET Szilikon (2 ajánlat) 
A HEXFET® Power MOSFET szilikon technológia Infineon kialakítása a Advanced Direct FETTM csomagolással a legalacsonyabb bekapcsolt állapotú ellenállás elérése érdekében EGY OLYAN csomagban, amely A...
Infineon
IRF6620TRPBF
kezdő: HUF 1 157 614,224*
4 800 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 20 V, DirectFET IZOMETRIKUS HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 150 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Maximális nyelő forrásellenállás = 0.0036 ...
Infineon
IRF6620TRPBF
kezdő: HUF 308,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) TrenchFET Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 150 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 200 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrá...
Vishay
SUM90100E-GE3
kezdő: HUF 768,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 150 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 200 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális ...
Vishay
SUM90100E-GE3
kezdő: HUF 939,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 25 V, 8-tüskés, PQFN8 Power Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 150 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 25 V Sorozat = Power Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráselle...
onsemi
NTTFS1D8N02P1E
kezdő: HUF 312,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 25 V, 8-tüskés, PQFN8 Power Si (1 ajánlat) 
A ON SEMICONDUCTOR Power33 sorozatú 25 V-os N-csatornás MOSFET árnyékolt kapu technológiát tartalmazó Advanced-eljárással készül. Ezt a folyamatot úgy optimalizálták, hogy minimalizálják a bekapcso...
onsemi
NTTFS1D8N02P1E
kezdő: HUF 359,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) DMTH3002LK3 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 150 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális ny...
Diodes
DMTH3002LK3-13
kezdő: HUF 216,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   251   252   253   254   255   256   257   258   259   260   261   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.