MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (255/795 oldal)

Kép

Cikk

Ajánlatok

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 316 A, 100 V, PG-TO 247 HEXFET (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 316 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = PG-TO 247 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Infineon

IRF100P219AKMA1

kezdő: HUF 1 949,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 304 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247 StrongIRFET (1 ajánlat)

Ez a Infineon erős IRFET MOSFET ideális a magas kapcsolási frekvenciához, és javított kapu, lavina és dinamikus dv/dt robusztusság.Halogénmentes az IEC61249-2-21 szerint

Infineon

IRF100P219XKMA1

kezdő: HUF 42 161,40*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 304 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247 StrongIRFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 304 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = StrongIRFET Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...

Infineon

IRF100P219XKMA1

kezdő: HUF 1 753,00*
db-ként

Infineon IRF100S201 tranzisztor 60 V (2 ajánlat)

Infineon

IRF100S201

kezdő: HUF 584,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 192 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 192 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1

Infineon

IRF100S201

kezdő: HUF 827,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 84 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 60V - 80 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat...

Infineon

IRF1010EPBF

kezdő: HUF 189,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 84 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRF1010EPBF

kezdő: HUF 171,00*
db-ként

Infineon IRF1010ES tranzisztor 100 V (3 ajánlat)

Infineon

IRF1010ESTRLPBF

kezdő: HUF 240,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 84 A, 60 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 84 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...

Infineon

IRF1010ESTRLPBF

kezdő: HUF 327,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 84 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

Infineon

IRF1010EZPBF

kezdő: HUF 233,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 84 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRF1010EZPBF

kezdő: HUF 4 165,90*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 85 A, 55 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...

Infineon

IRF1010NSTRLPBF

kezdő: HUF 248,00*
db-ként