Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 900 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 2.7 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220AB QFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
QFET® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működési teljesít...
onsemi
FQP3P50
kezdő: HUF 1 560,60*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 2.7 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 60V - 80 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat...
Infineon
IRLML0060TRPBF
kezdő: HUF 57,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 2.8 A, 150 V, 3-tüskés, SOT-223 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDT86244
kezdő: HUF 593,60*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 2.8 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor
TSM2302CX RFG
kezdő: HUF 40,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 2.9 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 SIPMOS® Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Infineon SIGMOS® N-Channel MOSFET-ek
Infineon
BSP320S
kezdő: HUF 1 510,10*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) RD3P200SN Egyszeres (1 ajánlat) 
Az RD3P200SN típus egy alacsony bekapcsolt állapotú ellenállással felszerelt teljesítmény MOSFET, amely kapcsolásra használható.Alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás. Gyors kapcsolási sebesség. A...
ROHM Semiconductor
RD3P200SNTL
kezdő: HUF 2 752,00*
10 db-ként
Infineon
IRFI540NPBF
kezdő: HUF 288,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRFI540NPBF
kezdő: HUF 395,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220F PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDPF3860T
kezdő: HUF 236,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220F PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDPF3860T
kezdő: HUF 2 361,20*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 3-tüskés, TO-252 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-252 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növe...
ROHM Semiconductor
RD3P200SNTL1
kezdő: HUF 307,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 3-tüskés, TO-252 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-252 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növe...
ROHM Semiconductor
RD3P200SNTL1
kezdő: HUF 402,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 STripFET F3 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-Channel STripbeFET™ F3, STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.
ST Microelectronics
STL8N10LF3
kezdő: HUF 298,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 STripFET F3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel STripbeFET™ F3, STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.
ST Microelectronics
STL8N10LF3
kezdő: HUF 2 921,40*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SH TrenchFET Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
Vishay
SiSH892BDN-T1-GE3
kezdő: HUF 110,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   251   252   253   254   255   256   257   258   259   260   261   ..   794   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.