MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (259/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 650 V, 3-tüskés, TO-268HV HiperFET Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = HiperFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...

IXYS

IXFT60N65X2HV

kezdő: HUF 3 755,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET Egyszeres (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 sorozat. Az IXYS X2 osztályú HiPerFET Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöl...

IXYS

IXFH60N65X2

kezdő: HUF 2 745,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET Egyszeres (1 ajánlat)

IXYS

IXFH60N65X2

kezdő: HUF 3 368,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS CP Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET

Infineon

IPW60R045CP

kezdő: HUF 8 434,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 600 V, 8-tüskés, LSON GaN (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = LSON Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növekményes Elemek száma c...

Infineon

IGLD60R070D1AUMA3

kezdő: HUF 2 279,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 600 V, 8-tüskés, HSOF GaN (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = HSOF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növekményes Elemek száma c...

Infineon

IGT60R070D1ATMA4

kezdő: HUF 2 323,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1

Infineon

IPW60R045CPAFKSA1

kezdő: HUF 9 056,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 600 V, 20-tüskés, DSO GaN (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = DSO Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 20 Csatorna mód = Növekményes Elemek száma c...

Infineon

IGO60R070D1AUMA2

kezdő: HUF 2 575,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 600 V, 20-tüskés, DSO GaN (1 ajánlat)

Infineon

IGOT60R070D1AUMA3

kezdő: HUF 2 805,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

TrenchFET® Gen IV power MOSFET Nagyon kis RDS-Qg jósági tényező (FOM) A legkisebb RDS-Qoss FOM-tényezőhöz hangolva

Vishay

SiR188DP-T1-RE3

kezdő: HUF 511 218,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...

Vishay

SiR188DP-T1-RE3

kezdő: HUF 3 921,00*
10 db-ként