Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 991 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220F PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDPF3860T
kezdő: HUF 2 338,20*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 3-tüskés, TO-252 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-252 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növe...
ROHM Semiconductor
RD3P200SNTL1
kezdő: HUF 307,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 3-tüskés, TO-252 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-252 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növe...
ROHM Semiconductor
RD3P200SNTL1
kezdő: HUF 406,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 STripFET F3 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-Channel STripbeFET™ F3, STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.
ST Microelectronics
STL8N10LF3
kezdő: HUF 296,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 STripFET F3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel STripbeFET™ F3, STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.
ST Microelectronics
STL8N10LF3
kezdő: HUF 2 906,40*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SH TrenchFET Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
Vishay
SiSH892BDN-T1-GE3
kezdő: HUF 110,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SH TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
Vishay
SiSH892BDN-T1-GE3
kezdő: HUF 129,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 8-tüskés, SOIC ThunderFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, közepes feszültségű/ThunifFET®, Vishay Semiconductor
Vishay
SI4090DY-T1-GE3
kezdő: HUF 227,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 8-tüskés, SOIC ThunderFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, közepes feszültségű/ThunifFET®, Vishay Semiconductor
Vishay
SI4090DY-T1-GE3
kezdő: HUF 517 986,50*
2 500 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, 3-tüskés, H2PAK-2 SiC MOSFET SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SiC MOSFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forr...
ST Microelectronics
SCT20N120H
kezdő: HUF 3 470,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, 3-tüskés, H2PAK-2 SiC MOSFET SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. A szilícium-karbid anyag kiemelkedő hőtulajdonságokka...
ST Microelectronics
SCT20N120H
kezdő: HUF 3 470,00*
db-ként
Infineon IPA60R160P7 tranzisztor 600 V (1 ajánlat)
Infineon
IPA60R160P7XKSA1
kezdő: HUF 637,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-220 FP CoolMOS™ P7 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = CoolMOS™ P7 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
Infineon
IPA60R160P7XKSA1
kezdő: HUF 691,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 125 V, 4-tüskés, M174 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
RF MOSFET tranzisztorok, STMicroelectronics. A rádiófrekvenciás tranzisztorok olyan LDMOS optikai érzékelők, amelyek 1 MHz és 2 GHz közötti alkalmazásokon L-sávú műholdfelcsatlakozásra és DMOS telj...
ST Microelectronics
SD2931-10W
kezdő: HUF 23 909,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 125 V, 4-tüskés, M174 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
RF MOSFET tranzisztorok, STMicroelectronics. A rádiófrekvenciás tranzisztorok olyan LDMOS optikai érzékelők, amelyek 1 MHz és 2 GHz közötti alkalmazásokon L-sávú műholdfelcsatlakozásra és DMOS telj...
ST Microelectronics
SD2931-10W
kezdő: HUF 24 386,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   251   252   253   254   255   256   257   258   259   260   261   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.