MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (259/801 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) RD3P200SN Egyszeres (1 ajánlat)

Az RD3P200SN típus egy alacsony bekapcsolt állapotú ellenállással felszerelt teljesítmény MOSFET, amely kapcsolásra használható.Alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás. Gyors kapcsolási sebesség. A...

ROHM Semiconductor

RD3P200SNTL

kezdő: HUF 2 730,00*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 3-tüskés, SOT-428 RSD201N10 Egyszeres (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET tranzisztorok, ROHM

ROHM Semiconductor

RSD201N10TL

kezdő: HUF 694,90*
5 db-ként

Infineon IRFI540NPBF tranzisztor 100 V 13 A MOSFET (2 ajánlat)

Infineon

IRFI540NPBF

kezdő: HUF 289,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...

Infineon

IRFI540NPBF

kezdő: HUF 377,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220F PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDPF3860T

kezdő: HUF 232,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220F PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDPF3860T

kezdő: HUF 2 343,20*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 3-tüskés, TO-252 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-252 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növe...

ROHM Semiconductor

RD3P200SNTL1

kezdő: HUF 305,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 3-tüskés, TO-252 Si (1 ajánlat)

ROHM Semiconductor

RD3P200SNTL1

kezdő: HUF 405,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 STripFET F3 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel STripbeFET™ F3, STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.

ST Microelectronics

STL8N10LF3

kezdő: HUF 295,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 STripFET F3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STL8N10LF3

kezdő: HUF 2 910,40*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SH TrenchFET Si (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...

Vishay

SiSH892BDN-T1-GE3

kezdő: HUF 110,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SH TrenchFET Si (1 ajánlat)

Vishay

SiSH892BDN-T1-GE3

kezdő: HUF 130,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 8-tüskés, SOIC ThunderFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, közepes feszültségű/ThunifFET®, Vishay Semiconductor

Vishay

SI4090DY-T1-GE3

kezdő: HUF 227,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 8-tüskés, SOIC ThunderFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, közepes feszültségű/ThunifFET®, Vishay Semiconductor

Vishay

SI4090DY-T1-GE3

kezdő: HUF 519 111,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, 3-tüskés, H2PAK-2 SiC MOSFET SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SiC MOSFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forr...

ST Microelectronics

SCT20N120H

kezdő: HUF 3 467,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 .. 801 előre

MOSFET-ek (12 007 cikk)