MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (260/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 80 V, 3-tüskés, TO-220 TK Egyszeres Si (1 ajánlat)

MOSFET N-csatornás, Toshiba sorozat, TK3x sorozat

Toshiba

TK35E08N1

kezdő: HUF 1 780,60*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8 TrenchFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...

Vishay

SI4497DY-T1-GE3

kezdő: HUF 1 780,40*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10.7 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZXMN6A25KTC

kezdő: HUF 1 779,00*
5 db-ként

Infineon IPB200N25N3 G tranzisztor 250 V (2 ajánlat)

Infineon

IPB200N25N3GATMA1

kezdő: HUF 1 779,00*
db-ként

MOSFET, 160 A, 75 V, DirectFET nagy doboz HEXFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 160 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 75 V Csomag típusa = DirectFET nagy doboz Rögzítés típusa = Furatszerelt

Infineon

AUIRF7759L2TR

kezdő: HUF 1 779,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 180 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...

Infineon

IRFB4110GPBF

kezdő: HUF 1 777,00*
2 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 200 A, 60 V, 3-tüskés, D2PAK Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 200 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = D2PAK Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növek...

Texas Instruments

CSD18536KTTT

kezdő: HUF 1 777,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI4164DY-T1-GE3

kezdő: HUF 1 776,30*
10 db-ként

Infineon IPW65R099CFD7AXKSA1 (1 ajánlat)

MOSFET-ek

Infineon

IPW65R099CFD7AXKSA1

kezdő: HUF 1 776,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 160 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 60V - 80 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat...

Infineon

IRFB3306GPBF

kezdő: HUF 1 776,00*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 5,9 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 5,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...

Vishay

SI2374DS-T1-GE3

kezdő: HUF 1 776,00*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 940 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMN3730U-7

kezdő: HUF 1 775,30*
50 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 103 A, 80 V, 5-tüskés, DFN Egyszeres (1 ajánlat)

Autóipari MOSFET-teljesítménytranzisztor 5 x 6 mm méretű, lapos kivezetéses tokban, kompakt és hatékony kialakításokhoz tervezve, kiváló termikus teljesítménnyel. Nedvesíthető peremű opció is elérh...

onsemi

NVMFS6H824NT1G

kezdő: HUF 1 773,80004*
6 db-ként

MOSFET tranzisztor, 84 A, PG-TO220-3 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 84 A Csomag típusa = PG-TO220-3

Infineon

IPP120N20NFDAKSA1

kezdő: HUF 1 773,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 34 A, 500 V, 3-tüskés, TO-3PN HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)

IXYS

IXFQ34N50P3

kezdő: HUF 1 773,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 996 cikk)