Kategóriák
Irodai kellékek
Hardver, szoftver, telekommunikáció
Szerszámok, Szerszámgépek
Elektronika, elektrotechnika
Üzemi felszerelés, raktári felszerelés
Munkavédelem
Műszaki kereskedelem
Egészségügy, terápia, labor
Háztechnika, épülettechnika
Szállítás, csomagolás
Hotel, vendéglátás, étel, ital
Takarítóeszközök
További kategóriák
Magyarország
Magyar
Deutschland
Deutsch
English
Österreich
Deutsch
English
Nederland
Nederlands
English
Italia
Italiano
English
France
Français
English
España
Español
English
United Kingdom
English
Ireland
English
Polska
Polski
English
Magyarország
Magyar
English
Schweiz
Deutsch
Français
Italiano
English
België
Nederlands
Français
Deutsch
English
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Bejelentkezni
Új ügyfél?
Regisztráljon most
>
Profil
Rendelési archívum
Bevásárlólisták
Beszerzési igénylések
Kosár
Nyitólap
>
Elektronika, elektrotechnika
>
Raktár 4GUDN
>
Elektronikus alkatrészek, tápellátás és csatlakozók
>
Félvezetők
>
Diszkrét félvezetők
>
MOSFET-ek
MOSFET-ek
(12 007 cikk)
A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés:
Összes raktár
Raktár 3701
Raktár 4GUDN
Raktár 745LG
Raktar 296YZ
Ár ettől:
eddig
HUF
szó
Gyártó:
Diodes
(1124)
Infineon
(4183)
onsemi
(1742)
ROHM Semiconductor
(637)
ST Microelectronics
(939)
Vishay
(2096)
...
Összes kijelzése
Kijelzés
Galéria nézet
Ajánlatok száma
Cikkjellemzők
Összehasonlító ár
Árucikk összehasonlítás
Kép
Cikk
Gyártó/-szám
Nettó ár
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, 3-tüskés, H2PAK-2 SiC MOSFET SiC
(1 ajánlat)
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. A szilícium-karbid anyag kiemelkedő hőtulajdonságokka...
ST Microelectronics
SCT20N120H
kezdő: HUF 3 466,00*
db-ként
Infineon IPA60R160P7 tranzisztor 600 V
(1 ajánlat)
Infineon
IPA60R160P7XKSA1
kezdő: HUF 637,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-220 FP CoolMOS™ P7 Si
(1 ajánlat)
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = CoolMOS™ P7 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
Infineon
IPA60R160P7XKSA1
kezdő: HUF 691,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 125 V, 4-tüskés, M174 Egyszeres Si
(1 ajánlat)
RF MOSFET tranzisztorok, STMicroelectronics. A rádiófrekvenciás tranzisztorok olyan LDMOS optikai érzékelők, amelyek 1 MHz és 2 GHz közötti alkalmazásokon L-sávú műholdfelcsatlakozásra és DMOS telj...
ST Microelectronics
SD2931-10W
kezdő: HUF 23 908,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 125 V, 4-tüskés, M174 Egyszeres Si
(1 ajánlat)
RF MOSFET tranzisztorok, STMicroelectronics. A rádiófrekvenciás tranzisztorok olyan LDMOS optikai érzékelők, amelyek 1 MHz és 2 GHz közötti alkalmazásokon L-sávú műholdfelcsatlakozásra és DMOS telj...
ST Microelectronics
SD2931-10W
kezdő: HUF 24 428,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 20 V, 6-tüskés, WSON NexFET Si
(2 ajánlat)
--
Texas Instruments
CSD25310Q2
kezdő: HUF 56,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 20 V, 6-tüskés, WSON NexFET Si
(1 ajánlat)
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Sorozat = NexFET Tüskék száma = 6 Maximális nyelő forrásellenállás = 2.39e+006 Ω Csatorna mód = Növ...
Texas Instruments
CSD25310Q2
kezdő: HUF 83,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 200 V, 8-tüskés, PQFN8 UltraFET Egyszeres Si
(2 ajánlat)
UlFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor. Az UItraFET® Árok MOSFET kombájn jellemzői, amelyek a teljesítményátalakítási alkalmazások teljesítményszintjét teszik lehetővé. A készülék képes ellenállni ...
onsemi
FDMS2672
kezdő: HUF 361,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 200 V, 8-tüskés, PQFN8 UltraFET Egyszeres Si
(1 ajánlat)
UlFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor. Az UItraFET® Árok MOSFET kombájn jellemzői, amelyek a teljesítményátalakítási alkalmazások teljesítményszintjét teszik lehetővé. A készülék képes ellenállni ...
onsemi
FDMS2672
kezdő: HUF 1 250 330,01*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si
(1 ajánlat)
N-csatornás MOSFET, 30 V on Semiconductor
onsemi
NTD20N03L27T4G
kezdő: HUF 496 743,50*
2 500 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si
(1 ajánlat)
N-csatornás MOSFET, 30 V on Semiconductor
onsemi
NTD20N03L27T4G
kezdő: HUF 1 792,90*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SH Egyszeres
(2 ajánlat)
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8SH Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális...
Vishay
SiSHA14DN-T1-GE3
kezdő: HUF 76,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SH Egyszeres
(1 ajánlat)
N-csatornás 30 V-os (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET
Vishay
SiSHA14DN-T1-GE3
kezdő: HUF 2 079,60*
25 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si
(2 ajánlat)
N-csatornás MOSFET 30V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési ...
Infineon
IRF7832TRPBF
kezdő: HUF 212,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si
(1 ajánlat)
N-csatornás MOSFET 30V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési ...
Infineon
IRF7832TRPBF
kezdő: HUF 2 460,30*
10 db-ként
Cikk oldalanként:
10
15
20
50
100
oldal:
vissza
1
..
251
252
253
254
255
256
257
258
259
260
261
..
801
előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.
Rólunk
Ügyfélszolgálat
Sajtóközlemény
Karrier
ÁSZF
Impresszum
Adatvédelem
Fenntarthatóság
Adatvédelmi beállítások