MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (260/801 oldal)

Kép

Cikk

Ajánlatok

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, 3-tüskés, H2PAK-2 SiC MOSFET SiC (1 ajánlat)

Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. A szilícium-karbid anyag kiemelkedő hőtulajdonságokka...

ST Microelectronics

SCT20N120H

kezdő: HUF 3 466,00*
db-ként

Infineon IPA60R160P7 tranzisztor 600 V (1 ajánlat)

Infineon

IPA60R160P7XKSA1

kezdő: HUF 637,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-220 FP CoolMOS™ P7 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = CoolMOS™ P7 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...

Infineon

IPA60R160P7XKSA1

kezdő: HUF 691,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 125 V, 4-tüskés, M174 Egyszeres Si (1 ajánlat)

RF MOSFET tranzisztorok, STMicroelectronics. A rádiófrekvenciás tranzisztorok olyan LDMOS optikai érzékelők, amelyek 1 MHz és 2 GHz közötti alkalmazásokon L-sávú műholdfelcsatlakozásra és DMOS telj...

ST Microelectronics

SD2931-10W

kezdő: HUF 23 908,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 125 V, 4-tüskés, M174 Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

SD2931-10W

kezdő: HUF 24 428,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 20 V, 6-tüskés, WSON NexFET Si (2 ajánlat)

Texas Instruments

CSD25310Q2

kezdő: HUF 56,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 20 V, 6-tüskés, WSON NexFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Sorozat = NexFET Tüskék száma = 6 Maximális nyelő forrásellenállás = 2.39e+006 Ω Csatorna mód = Növ...

Texas Instruments

CSD25310Q2

kezdő: HUF 83,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 200 V, 8-tüskés, PQFN8 UltraFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

UlFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor. Az UItraFET® Árok MOSFET kombájn jellemzői, amelyek a teljesítményátalakítási alkalmazások teljesítményszintjét teszik lehetővé. A készülék képes ellenállni ...

onsemi

FDMS2672

kezdő: HUF 361,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 200 V, 8-tüskés, PQFN8 UltraFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

FDMS2672

kezdő: HUF 1 250 330,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V on Semiconductor

onsemi

NTD20N03L27T4G

kezdő: HUF 496 743,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V on Semiconductor

onsemi

NTD20N03L27T4G

kezdő: HUF 1 792,90*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SH Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8SH Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális...

Vishay

SiSHA14DN-T1-GE3

kezdő: HUF 76,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SH Egyszeres (1 ajánlat)

N-csatornás 30 V-os (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET

Vishay

SiSHA14DN-T1-GE3

kezdő: HUF 2 079,60*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 30V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési ...

Infineon

IRF7832TRPBF

kezdő: HUF 212,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRF7832TRPBF

kezdő: HUF 2 460,30*
10 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 .. 801 előre

MOSFET-ek (12 007 cikk)