MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (263/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 120 V, 3-tüskés, TO-220 TK Egyszeres Si (1 ajánlat)

MOSFET N-csatornás, Toshiba sorozat, TK3x sorozat

Toshiba

TK32E12N1,S1X(S

kezdő: HUF 1 614,10*
5 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8L Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ny...

Vishay

SQJA42EP-T1_GE3

kezdő: HUF 1 614,00*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 195 A, 60 V, 3-tüskés, TO-247 StrongIRFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

StrongIRFET™ Power MOSFET Infineon. Az Infineon StrongIRFET családját alacsony R ;sub> DS ( ;/sub>be) és nagy áram teljesítményre optimalizálták. A portfólió továbbfejlesztett kaputechnológiát, lav...

Infineon

IRFP7530PBF

kezdő: HUF 1 613,10*
2 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 553.8 A., 40 V, 8-tüskés, DFNW8 Egyszeres (1 ajánlat)

Gépjármű MOSFET 8 x 8 mm-es, lapos ólomcsomagolásban, amelyet kompakt és hatékony kialakításra, és nagy hőteljesítményt kínál. Nedvesíthető peremű opció is elérhető fejlett optikai vizsgálathoz. MO...

onsemi

NVMTS0D4N04CLTXG

kezdő: HUF 1 613,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 5 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) MDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STD7NM60N

kezdő: HUF 1 612,50*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 22 A, 600 V, 3-tüskés, TO-263 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 22 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-263 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növe...

Vishay

SIHB150N60E-GE3

kezdő: HUF 1 612,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 96 A, 150 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFH96N15P

kezdő: HUF 1 611,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 NTHL125N Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 24 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = NTHL125N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...

onsemi

NTHL125N65S3H

kezdő: HUF 1 609,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 75 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXTP75N10P

kezdő: HUF 1 609,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-89 Egyszeres (1 ajánlat)

A teljesítmény MOSFET-ek mikrofeldolgozási technológiával készülő, alacsony ellenállású eszközök, amelyek az alkalmazások széles körénél használható. Széles választék, amelyben kompakt típusok, nag...

ROHM Semiconductor

RHP020N06T100

kezdő: HUF 1 607,20*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMN4010LK3-13

kezdő: HUF 1 607,20*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, 3-tüskés, TO-3PF (1 ajánlat)

A ROHM teljesítmény MOSFET TO-3PF tokozású. Elsősorban kapcsolásra használják.Alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás Ultra gyors kapcsolási sebesség Könnyű párhuzamos használat Ólommentes bevonat,...

ROHM Semiconductor

R6025JNZC17

kezdő: HUF 1 607,00*
db-ként