Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 900 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 161 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 30V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési ...
Infineon
IRLR7843TRPBF
kezdő: HUF 1 576,90*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 162 A, 30 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 162 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növ...
Vishay
SISS52DN-T1-UE3
kezdő: HUF 752 812,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 162 A, 30 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 162 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növ...
Vishay
SISS52DN-T1-UE3
kezdő: HUF 312,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 162 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S (1 ajánlat) 
A Vishay N-csatornás 30 V-os (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S tokozással rendelkezik.TrenchFET Gen V teljesítmény MOSFET Nagyon alacsony RDS x QG érték-of-Merit (FOM) Nagyobb teljesítménysűrűséget tes...
Vishay
SiSS52DN-T1-GE3
kezdő: HUF 140,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 162 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 162 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális...
Vishay
SiSS52DN-T1-GE3
kezdő: HUF 157,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 162 A, 30 V, 8-tüskés, WDFN (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 162 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = WDFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
onsemi
NVTFS4C02NWFTAG
kezdő: HUF 387,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 162 A, 30 V, 8-tüskés, WDFN (1 ajánlat) 
The ON Semiconductor industrial power MOSFET in a 8x8mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable flank capable for enhanced opti...
onsemi
NVTFS4C02NWFTAG
kezdő: HUF 566,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 162 A, 40 V, 3-tüskés, I2PAK (TO-262) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 40V Infineon tápegység. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek termékválasztéka N csatornás eszközöket tartalmaz a felületszerelt és az ólmozott csomagokhoz és olyan...
Infineon
IRF1404LPBF
kezdő: HUF 32 487,40*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 165 A, 150 V, 8-tüskés, DFNW8 (1 ajánlat) 
The ON Semiconductor industrial power MOSFET in a 8x8mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable flank capable for enhanced opti...
onsemi
NVMTS4D3N15MC
kezdő: HUF 1 112,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 165 A, 150 V, 8-tüskés, DFNW8 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 165 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = DFNW8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...
onsemi
NVMTS4D3N15MC
kezdő: HUF 1 533,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 165 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 SiR626ADP (2 ajánlat) 
A Vishay N-Channel 60 V (D-S) MOSFET a legalacsonyabb RDS - Qoss FOM hangolás érdekében.Power PAK SO-8 csomag TenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET
Vishay
SiR626ADP-T1-RE3
kezdő: HUF 917 259,00*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 165 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 SiR626ADP (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 165 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ny...
Vishay
SiR626ADP-T1-RE3
kezdő: HUF 263,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 165 A, 80 V, 8-tüskés, HSOF-8 OptiMOS™ 5 Szilikon (1 ajánlat) 
A Infineon n csatornás MOSFET üzemi hőmérséklete 175 °C, lavinája pedig 100 százalék.RoHS-kompatibilis és AEC Q101 minősítésű
Infineon
IAUT165N08S5N029ATMA2
kezdő: HUF 675,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 165 A, 80 V, 8-tüskés, PG HSOG-8 (TOLG) OptiMOS™ 5 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 165 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = OptiMOS™ 5 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
Infineon
IAUS165N08S5N029ATMA1
kezdő: HUF 604,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 165.3 A, 850 V, 3-tüskés, TO-220AB E Series Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 165.3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellená...
Vishay
SIHP21N80AEF-GE3
kezdő: HUF 598,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   261   262   263   264   265   266   267   268   269   270   271   ..   794   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.