Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 991 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
onsemi
NTHL190N65S3HF
kezdő: HUF 6 614,90*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 650 V, 4-tüskés, PQFN4 8 x 8 NTMT190N Si (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET nagyfeszültségű szuper−junction (SJ) MOSFET családdal rendelkezik, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt állapotú−el...
onsemi
NTMT190N65S3HF
kezdő: HUF 1 052,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 650 V, 4-tüskés, PQFN4 8 x 8 NTMT190N Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = NTMT190N Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forráse...
onsemi
NTMT190N65S3HF
kezdő: HUF 1 600,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolSiC Szilikon (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás...
Infineon
IMZA65R107M1HXKSA1
kezdő: HUF 1 997,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolSiC Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás...
Infineon
IMZA65R107M1HXKSA1
kezdő: HUF 2 253,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220AB (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = TO-220AB Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1
Vishay
SIHP24N80AEF-GE3
kezdő: HUF 837,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220AB (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = TO-220AB Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1
Vishay
SIHP24N80AEF-GE3
kezdő: HUF 973,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 V, 6-tüskés, DFN2020 (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 12 V - 25 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMP2035UFDF-7
kezdő: HUF 50,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 V, 8-tüskés, DFN2020 (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 12 V - 25 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMP2035UFDF-7
kezdő: HUF 140 016,00*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20,2 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ C6 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
Infineon
IPW60R190C6FKSA1
kezdő: HUF 24 856,7001*
30 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20,7 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 FP CoolMOS™ Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = CoolMOS™ Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenál...
Infineon
SPA20N60C3XKSA1
kezdő: HUF 1 179,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20,7 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 FP CoolMOS™ Egyszeres (1 ajánlat) 
Infineon MOSFETA Infineon through-Hole bajonettes N-csatornás MOSFET egy új kortermék, amely 190 m-es elvezető-forrás ellenállással rendelkezik, 10 V-os kapu-forrás feszültségen. A MOSFET folyamato...
Infineon
SPA20N60C3XKSA1
kezdő: HUF 3 336,50*
2 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20,7 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ C3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
Infineon
SPW20N60C3FKSA1
kezdő: HUF 1 538,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 200 A, 100 V, 4-tüskés, SOT-227 Polar HiPerFET (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN200N10P
kezdő: HUF 7 552,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 200 A, 100 V, 4-tüskés, SOT-227 Polar HiPerFET (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN200N10P
kezdő: HUF 94 418,10*
10 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   261   262   263   264   265   266   267   268   269   270   271   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.