MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (273/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 30 V, 8-tüskés, SOP Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMP3056LSS-13

kezdő: HUF 48,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 30 V, 7-tüskés, DFN2020 HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET 30V, Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumokat tarta...

Infineon

IRFHS9301TRPBF

kezdő: HUF 336 247,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 30 V, 6-tüskés, TSMT-6 RQ6E060AT Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = TSMT-6 Sorozat = RQ6E060AT Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 M...

ROHM Semiconductor

RQ6E060ATTCR

kezdő: HUF 1 270,30*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI2338DS-T1-GE3

kezdő: HUF 185 242,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

Si2338DS-T1-GE3

kezdő: HUF 72,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat)

4,5 V-os meghajtó Alacsony ellenállás: RDS(ON) = 42 mΩ (max) (VGS = 4,5 V esetén) RDS(ON) = 28 mΩ (max) (VGS = 10 V esetén)

Toshiba

SSM3K333R

kezdő: HUF 96 703,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrá...

Toshiba

SSM3K333R

kezdő: HUF 1 952,30*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat)

4,5 V-os kapumeghatjó feszültség. Alacsony fogyasztó-forrási ellenállás RDS(ON) = 38 mΩ (max) (VGS = 10 V esetén) RDS(ON) = 56 mΩ (max) (VGS = 4,5 V esetén)

Toshiba

SSM3K335R

kezdő: HUF 1 636,00*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 20 V, 8-tüskés, SOIC STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STS6NF20V

kezdő: HUF 264 364,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 20 V, 8-tüskés, SOIC STripFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STS6NF20V

kezdő: HUF 102,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 20 V, 6-tüskés, TSOP-6 Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI3433CDV-T1-GE3

kezdő: HUF 52,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 20 V, 6-tüskés, TSOP-6 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI3433CDV-T1-GE3

kezdő: HUF 1 287,30*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-346 RQ5C060BC Egyszeres (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET tranzisztorok, ROHM

ROHM Semiconductor

RQ5C060BCTCL

kezdő: HUF 65,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 TrenchFET (2 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásel...

Vishay

SI2399DS-T1-GE3

kezdő: HUF 47,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 TrenchFET (1 ajánlat)

Vishay

SI2399DS-T1-GE3

kezdő: HUF 1 278,10*
20 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 271 272 273 274 275 276 277 278 279 280 281 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 994 cikk)