MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (278/801 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 21 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247N Egyszeres SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 21 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...

ROHM Semiconductor

SCT3120ALGC11

kezdő: HUF 2 654,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 21 A, 650 V, 5-tüskés, ThinPAK 8 x 8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 21 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = ThinPAK 8 x 8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Elemek száma...

Infineon

IPL65R130CFD7AUMA1

kezdő: HUF 2 164 193,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 21 A, 650 V, 5-tüskés, ThinPAK 8 x 8 (1 ajánlat)

Infineon

IPL65R130CFD7AUMA1

kezdő: HUF 1 219,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 21 A, 650 V, 7-tüskés, TO-263-7 SCT SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 21 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő f...

ROHM Semiconductor

SCT3120AW7TL

kezdő: HUF 2 210,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 21 A, 650 V, 7-tüskés, TO-263-7 SCT SiC (1 ajánlat)

A ROHM N-csatornás teljesítmény MOSFET-ben nagyon gyors kapcsolás és alacsony ellenállás szerepelt. Elsősorban napelemes inverterekben, DC-DC átalakítóban, motormeghajtásban és indukciós fűtésben h...

ROHM Semiconductor

SCT3120AW7TL

kezdő: HUF 2 299,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 21 A, 650 V, 8-tüskés, PowerPAK 10 x 12 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 21 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = PowerPAK 10 x 12 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek sz...

Vishay

SIHK125N60E-T1-GE3

kezdő: HUF 808,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 21 A, 650 V, 8-tüskés, PowerPAK 10 x 12 (1 ajánlat)

Vishay

SIHK125N60E-T1-GE3

kezdő: HUF 1 251,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 21 mA, 600 V, 3-tüskés, SOT-23 SIPMOS® Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon SIGMOS® N-Channel MOSFET-ek

Infineon

BSS127

kezdő: HUF 80 268,00*
3 000 db-ként

Infineon BSS127 tranzisztor 55 V (3 ajánlat)

Infineon

BSS127H6327XTSA2

kezdő: HUF 40,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 21 mA, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, SOT-23 BSS127I (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 21 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Kiü...

Infineon

BSS127IXTSA1

kezdő: HUF 107,09*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 21 mA, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, SOT-23 BSS127I (1 ajánlat)

A Infineon BSS127I a kis jel, a kis teljesítményű N- és P-csatornás MOSFET-EK a VGS(TH) szintek és az RDS(on) értékek széles skáláját, valamint több feszültségosztályt biztosítanak. Ez a MOSFET bőv...

Infineon

BSS127IXTSA1

kezdő: HUF 23,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 21 mA, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, SOT-23 SIPMOS® (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 21 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = SIPMOS® Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...

Infineon

BSS126IXTSA1

kezdő: HUF 159,63*
5 db-ként