MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (287/801 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Összehasonlító ár

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 225 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 225 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1

Infineon

IMW120R007M1HXKSA1

kezdő: HUF 16 897,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 225 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 (1 ajánlat)

Infineon

IMW120R007M1HXKSA1

kezdő: HUF 18 111,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 225 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 225 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Elemek száma chipenként...

Infineon

IMZA120R007M1HXKSA1

HUF 17 676,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 225 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 (1 ajánlat)

Infineon

IMZA120R007M1HXKSA1

kezdő: HUF 17 935,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 225 mA, 250 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET Nexperia

Nexperia

BSP225,115

kezdő: HUF 89,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 225 mA, 250 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET Nexperia

Nexperia

BSP225,115

kezdő: HUF 108,54*
db-ként

kezdő: HUF 542,70*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 226 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L P-Channel 40 V (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 226 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = P-Channel 40 V Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő f...

Vishay

SQJQ141EL-T1_GE3

kezdő: HUF 527,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 226 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L P-Channel 40 V (1 ajánlat)

A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.AEC-Q101-minősítés 100 % RG és UIS tesztelve Vékony...

Vishay

SQJQ141EL-T1_GE3

kezdő: HUF 578,00*
db-ként

Infineon BSC021N08NS5 tranzisztor 80 V (1 ajánlat)

Infineon

BSC021N08NS5ATMA1

kezdő: HUF 627,6272*
db-ként

kezdő: HUF 3 138 136,00*
5 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 226 A, 80 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 OptiMOS™ (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 226 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = OptiMOS™ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma chipenként...

Infineon

BSC021N08NS5ATMA1

kezdő: HUF 1 055,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 227 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 227 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növekm...

Vishay

SIRS4301DP-T1-GE3

kezdő: HUF 929,00*
db-ként