MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (29/794 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 75 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STB160N75F3

kezdő: HUF 782 145,00*
1 000 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 149 A, 30 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 149 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = SuperSO8 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek szám...

Infineon

BSC0901NSATMA1

kezdő: HUF 781 670,00*
5 000 db-ként

Infineon BSC094N06LS5 tranzisztor 200 V (1 ajánlat)

Infineon

BSC094N06LS5ATMA1

kezdő: HUF 775 848,00*
5 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) STripFET II Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STripfFET™ II, STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.

ST Microelectronics

STB120NF10T4

kezdő: HUF 775 532,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) MDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STB18NM80

kezdő: HUF 769 042,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 60 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 27 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = LFPAK, SOT-669 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális ny...

onsemi

NTMYS021N06CLTWG

kezdő: HUF 768 806,01*
3 000 db-ként

Infineon IPB120N08S4-03 tranzisztor 60 V (1 ajánlat)

Infineon

IPB120N08S403ATMA1

kezdő: HUF 765 902,00*
1 000 db-ként

Infineon IPG20N06S2L-35A tranzisztor 55 V (1 ajánlat)

Infineon

IPG20N06S2L35AATMA1

kezdő: HUF 765 106,00*
5 000 db-ként

Vishay SI7898DP-T1-E3 IGBT (1 ajánlat)

MOSFET-ek

Vishay

SI7898DP-T1-E3

kezdő: HUF 763 081,02*
3 000 db-ként

Infineon BSO604NS2 tranzisztor 55 V (1 ajánlat)

Infineon

BSO604NS2XUMA1

kezdő: HUF 762 517,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 250 mA, 600 V, 8-tüskés, SOIC DMP65H (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 250 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = SOIC Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...

Diodes

DMP65H13D0HSS-13

kezdő: HUF 760 644,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 293 A, 60 V, 7-tüskés, D2PAK-7 HEXFET (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 60V - 80 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat...

Infineon

IRFS3006TRL7PP

kezdő: HUF 759 873,20*
800 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 263 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8FL (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 263 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = SO-8FL Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...

onsemi

NTMFS002P03P8ZT1G

kezdő: HUF 757 249,50*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 60 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ 3 Egyszeres (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 60 és 80 V között. A legnagyobb kihívást jelentő alkalmazások kivédéséhez az OptiMOS™ termékek nagy teljesítményű csomagokban kaphatók, így kis helyen is ...

Infineon

BSC100N06LS3GATMA1

kezdő: HUF 754 343,00*
5 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 162 A, 30 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 162 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növ...

Vishay

SISS52DN-T1-UE3

kezdő: HUF 752 395,02*
3 000 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 .. 794 előre

MOSFET-ek (11 900 cikk)