MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (292/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Összehasonlító ár

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 238 A, 40 V, 8-tüskés, TDSON-8 FL OptiMOS™ (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 238 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = OptiMOS™ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...

Infineon

ISC012N04LM6ATMA1

kezdő: HUF 281,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 238 A, 40 V, 8-tüskés, TDSON-8 FL OptiMOS™ (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 238 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = TDSON-8 FL Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő...

Infineon

ISC012N04LM6ATMA1

kezdő: HUF 563,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 100 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI3333-8 DMTH43 Si (1 ajánlat)

A DiodesZetex 40V,8 tűs N-csatornás javítási mód MOSFET-et úgy tervezték, hogy minimalizálja a bekapcsolt állapotú ellenállást, ugyanakkor kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn, így ideális ...

Diodes

DMTH43M8LFG-7

kezdő: HUF 164,393*
db-ként

kezdő: HUF 328 786,00*
2 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 100 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI3333-8 DMTH43 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 24 A, 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = DMTH43 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...

Diodes

DMTH43M8LFG-7

kezdő: HUF 225,00*
db-ként

Infineon IRFI1310N tranzisztor 120 V (2 ajánlat)

Infineon

IRFI1310NPBF

kezdő: HUF 272,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 Full-Pak HEXFET Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 24 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes Elemek...

Infineon

IRFI1310NPBF

kezdő: HUF 344,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 1000 V, 3-tüskés, PLUS247 HiperFET, Q-Class Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...

IXYS

IXFX24N100Q3

kezdő: HUF 8 469,51334*
db-ként

kezdő: HUF 254 085,4002*
30 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 1000 V, 3-tüskés, PLUS247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (3 ajánlat)

IXYS

IXFX24N100Q3

kezdő: HUF 7 452,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (3 ajánlat)

IXYS

IXFK24N100Q3

kezdő: HUF 7 494,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat)

IXYS

IXFK24N100Q3

kezdő: HUF 6 786,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 1000 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ sorozat

IXYS

IXFN24N100

kezdő: HUF 13 562,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 1000 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ sorozat

IXYS

IXFN24N100

kezdő: HUF 12 441,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 24 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4L Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekmén...

ROHM Semiconductor

SCT3105KRC15

kezdő: HUF 2 333,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat)

ROHM Semiconductor

SCT3105KRC15

kezdő: HUF 2 989,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat)

ROHM Semiconductor

SCT3105KRHRC15

kezdő: HUF 2 926,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 291 292 293 294 295 296 297 298 299 300 301 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 915 cikk)