Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 991 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 236 A, 100 V, 8-tüskés, TDFNW8 NTMTS Si (1 ajánlat) 
AZ ON Semiconductor NTMTS sorozat n-csatornás MOSFET, amely 100 V forrásfeszültséget kap Általában szinkron egyenirányítás és DC-DC átalakítás használatos.Ólommentes RoHS megfelelőségű
onsemi
NTMTSC002N10MCTXG
kezdő: HUF 2 769 520,02*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 236 A, 100 V, 8-tüskés, TDFNW8 NTMTS Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 236 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TDFNW8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő fo...
onsemi
NTMTSC002N10MCTXG
kezdő: HUF 1 127,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 237 A, 120 V, 8-tüskés, HSOF-8 OptiMOS™ (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 237 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 120 V Sorozat = OptiMOS™ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
Infineon
IPT030N12N3GATMA1
kezdő: HUF 1 589 078,00*
2 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 237 A, 120 V, 8-tüskés, HSOF-8 OptiMOS™ (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 237 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 120 V Sorozat = OptiMOS™ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
Infineon
IPT030N12N3GATMA1
kezdő: HUF 1 173,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 237 A, 40 V, 5-tüskés, DFN Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 237 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = DFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő forrás...
onsemi
NVMFS5C426NLT1G
kezdő: HUF 591,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 237 A, 40 V, 5-tüskés, DFN Egyszeres (1 ajánlat) 
Autóipari MOSFET-teljesítménytranzisztor 5 x 6 mm méretű, lapos kivezetéses tokban, kompakt és hatékony kialakításokhoz tervezve, kiváló termikus teljesítménnyel. Nedvesíthető kivezetésfelületű vál...
onsemi
NVMFS5C426NLT1G
kezdő: HUF 5 357,60*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 237 A, 40 V, 8-tüskés, SO-8FL (1 ajánlat) 
The ON Semiconductor N-channel power MOSFET has low on state resistance and low gate charge. It has 237 A of drain current. It is used in point of load modules, high performance DC-DC converters an...
onsemi
NTMFS5C426NLT1G
kezdő: HUF 403 375,50*
1 500 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 237 A, 40 V, 8-tüskés, SO-8FL (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 237 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = SO-8FL Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...
onsemi
NTMFS5C426NLT1G
kezdő: HUF 366,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 238 A, 40 V, 8-tüskés, TDSON-8 FL OptiMOS™ (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 238 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = OptiMOS™ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...
Infineon
ISC012N04LM6ATMA1
kezdő: HUF 1 818 539,00*
5 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 238 A, 40 V, 8-tüskés, TDSON-8 FL OptiMOS™ (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 238 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = OptiMOS™ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...
Infineon
ISC012N04LM6ATMA1
kezdő: HUF 565,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 100 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI3333-8 DMTH43 Si (1 ajánlat) 
A DiodesZetex 40V,8 tűs N-csatornás javítási mód MOSFET-et úgy tervezték, hogy minimalizálja a bekapcsolt állapotú ellenállást, ugyanakkor kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn, így ideális ...
Diodes
DMTH43M8LFG-7
kezdő: HUF 480 953,00*
2 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 100 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI3333-8 DMTH43 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 24 A, 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerDI3333-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximá...
Diodes
DMTH43M8LFG-7
kezdő: HUF 252,00*
db-ként
Infineon
IRFI1310NPBF
kezdő: HUF 271,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 Full-Pak HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 24 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes Elemek...
Infineon
IRFI1310NPBF
kezdő: HUF 367,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 1000 V, 3-tüskés, PLUS247 HiperFET, Q-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFX24N100Q3
kezdő: HUF 254 403,4002*
30 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   291   292   293   294   295   296   297   298   299   300   301   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.