MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (299/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 2,2 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI2367DS-T1-GE3

kezdő: HUF 2 071,80*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,2 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 SQ Rugged Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, SQ Robusztus sorozat, Vishay Semiconductor

Vishay

SQ2301ES-T1-GE3

kezdő: HUF 55,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,2 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 SQ Rugged Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, SQ Robusztus sorozat, Vishay Semiconductor

Vishay

SQ2301ES-T1-GE3

kezdő: HUF 893,20*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,2 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...

onsemi

FDN337N

kezdő: HUF 41,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,2 A, 500 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) CoolMOS™ CE (1 ajánlat)

Ez a Infineon 500 V Cool MOS CE MOSFET egy ár-teljesítmény optimalizált platform, amely lehetővé teszi a költségérzékeny alkalmazások megcélzását a fogyasztói és világítási piacokon, a legmagasabb ...

Infineon

IPD50R2K0CEAUMA1

kezdő: HUF 71,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,2 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor

onsemi

NTR5198NLT1G

kezdő: HUF 82 664,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,2 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor

onsemi

NTR5198NLT1G

kezdő: HUF 33,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,2 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFBC20PBF

kezdő: HUF 226,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,2 A, 80 V, 3-tüskés, TO-236 TrenchFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 2,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...

Vishay

SQ2337ES-T1_GE3

kezdő: HUF 199 091,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,2 A, 80 V, 3-tüskés, TO-236 TrenchFET (2 ajánlat)

Vishay

SQ2337ES-T1_GE3

kezdő: HUF 84,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,25 A, 30 V, 7-tüskés, POWERPAK SC-70W-6L N-Channel 30 V (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 2,25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = N-Channel 30 V Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő ...

Vishay

SQA470CEJW-T1_GE3

kezdő: HUF 210,65*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,25 A, 30 V, 7-tüskés, POWERPAK SC-70W-6L N-Channel 30 V (1 ajánlat)

A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.TrenchFET teljesítmény MOSFET AEC-Q101-minősítés Ne...

Vishay

SQA470CEJW-T1_GE3

kezdő: HUF 47,00*
db-ként