Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 900 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 248 A, 100 V, 5-tüskés, sTOLL (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 248 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = sTOLL Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Csatorna mód = Növe...
Infineon
IST026N10NM5AUMA1
kezdő: HUF 698,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 248 A, 100 V, 8-tüskés, POWERDI1012-8 DMTH10H2M5STLW (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 248 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = DMTH10H2M5STLW Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrásellenállás = 0.0025 O Csatorna mó...
Diodes
DMTH10H2M5STLW-13
kezdő: HUF 2 639,10*
2 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 248 A, 100 V, 8-tüskés, PowerDI1012-8 DMTH10H2M5STLW (1 ajánlat) 
A DiodesZetex DMTH10H2M5STRLW sorozatú MOSFET-et úgy tervezték, hogy minimalizálja a bekapcsolt állapotú ellenállást, kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn, ami ideálissá teszi a nagy hatéko...
Diodes
DMTH10H2M5STLW-13
kezdő: HUF 894,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 248 A, 100 V, 8-tüskés, PowerDI1012-8 DMTH10H2M5STLWQ (1 ajánlat) 
A DiodesZetex DMTH10H2M5STLWQ sorozat N-csatornás MOSFET-et úgy tervezték, hogy megfeleljen az autóipari alkalmazások szigorú követelményeinek.Magas konverziós hatékonyság Nedves asztaldagadó a job...
Diodes
DMTH10H2M5STLWQ-13
kezdő: HUF 1 426 839,00*
1 500 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 248 A, 100 V, 8-tüskés, PowerDI1012-8 DMTH10H2M5STLWQ (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 248 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = DMTH10H2M5STLWQ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő...
Diodes
DMTH10H2M5STLWQ-13
kezdő: HUF 1 294,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 248 A, 80 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L N-Channel 80 V (1 ajánlat) 
A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.AEC-Q101-minősítés 100 % RG és UIS tesztelve Vékony...
Vishay
SQJ180EP-T1_GE3
kezdő: HUF 298,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 248 A, 80 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L N-Channel 80 V (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 248 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = N-Channel 80 V Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő f...
Vishay
SQJ180EP-T1_GE3
kezdő: HUF 421,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STripFET H7 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel STAripbeFET™ H7 sorozat STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.
ST Microelectronics
STD25N10F7
kezdő: HUF 235,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STripFET H7 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel STAripbeFET™ H7 sorozat STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.
ST Microelectronics
STD25N10F7
kezdő: HUF 1 477,10*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STripFET II Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-Channel STripfFET™ II, STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.
ST Microelectronics
STD25NF10LT4
kezdő: HUF 268,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STripFET II Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel STripfFET™ II, STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.
ST Microelectronics
STD25NF10LT4
kezdő: HUF 2 083,70*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220FP STripFET H7 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel STAripbeFET™ H7 sorozat STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.
ST Microelectronics
STF25N10F7
kezdő: HUF 14 484,40*
50 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220FP STripFET H7 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel STAripbeFET™ H7 sorozat STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.
ST Microelectronics
STF25N10F7
kezdő: HUF 1 422,70*
5 db-ként
Infineon
IRF6645TRPBF
kezdő: HUF 1 210,05*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 100 V, DirectFET izometrikus DirectFET (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = DirectFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Maximális nyelő forrásellenállás = 0.03...
Infineon
IRF6645TRPBF
kezdő: HUF 270,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   291   292   293   294   295   296   297   298   299   300   301   ..   794   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.