Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 900 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 SupreMOS Egyszeres Si (2 ajánlat) 
A HighMOS® MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild a 600 V-os Super-Couble MOSFET-ek új generációját hozza - a legfölényesebb® típust. Az alacsony RDS(on) és a teljes kapudíj kombinációja 40 s...
onsemi
FCH25N60N
kezdő: HUF 1 507,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, 3-tüskés, TO-3PF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-3PF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...
ROHM Semiconductor
R6025JNZC17
kezdő: HUF 1 452,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, 3-tüskés, TO-3PF (1 ajánlat) 
A ROHM teljesítmény MOSFET TO-3PF tokozású. Elsősorban kapcsolásra használják.Alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás Ultra gyors kapcsolási sebesség Könnyű párhuzamos használat Ólommentes bevonat,...
ROHM Semiconductor
R6025JNZC17
kezdő: HUF 1 603,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L E Series Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, E-sorozat, alacsony érdemű, Vishay Semiconductor. Az E sorozatú Power MOSFET-ek a Vishay cégtől nagy feszültségű tranzisztorok, amelyek ultraalacsony maximális ellenállással, al...
Vishay
SIHH26N60E-T1-GE3
kezdő: HUF 929,00*
db-ként
Infineon
IPW60R125CPFKSA1
kezdő: HUF 1 385,00*
db-ként
Infineon
IPW60R125CPFKSA1
kezdő: HUF 3 193,40*
2 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 700 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) CoolMOS™ (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Sorozat = CoolMOS™ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...
Infineon
IPB65R090CFD7ATMA1
kezdő: HUF 992,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 700 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) CoolMOS™ (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Sorozat = CoolMOS™ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...
Infineon
IPB65R090CFD7ATMA1
kezdő: HUF 1 385,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 700 V, 3-tüskés, TO-220 CoolMOS™ (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Sorozat = CoolMOS™ Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...
Infineon
IPP65R090CFD7XKSA1
kezdő: HUF 576 421,00*
500 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 700 V, 3-tüskés, TO-220 CoolMOS™ (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Sorozat = CoolMOS™ Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...
Infineon
IPP65R090CFD7XKSA1
kezdő: HUF 1 421,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 700 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Sorozat = CoolMOS™ Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...
Infineon
IPW65R090CFD7XKSA1
kezdő: HUF 343 979,6016*
240 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 700 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Sorozat = CoolMOS™ Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...
Infineon
IPW65R090CFD7XKSA1
kezdő: HUF 1 446,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 800 V, 3-tüskés, ISOPLUS247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFR44N80P
kezdő: HUF 5 684,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 800 V, 3-tüskés, ISOPLUS247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFR44N80P
kezdő: HUF 8 759,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 25,5 A, 80 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L SiJ128LDP (2 ajánlat) 
A Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET nagyon alacsony QG és Qoss teljesítményveszteséggel és jobb hatékonysággal rendelkezik. A QG és Qoss nagyon alacsony teljesítménnyel csökkenti az áramvesztesége...
Vishay
SiJ128LDP-T1-GE3
kezdő: HUF 214,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   301   302   303   304   305   306   307   308   309   310   311   ..   794   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.