MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (303/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 700 V, 3-tüskés, TO-220 CoolMOS™ (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Sorozat = CoolMOS™ Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...

Infineon

IPP65R090CFD7XKSA1

kezdő: HUF 1 405,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 700 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ (1 ajánlat)

Infineon

IPW65R090CFD7XKSA1

kezdő: HUF 343 459,6008*
240 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 700 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ (1 ajánlat)

Infineon

IPW65R090CFD7XKSA1

kezdő: HUF 1 427,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 800 V, 3-tüskés, ISOPLUS247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFR44N80P

kezdő: HUF 5 818,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 800 V, 3-tüskés, ISOPLUS247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFR44N80P

kezdő: HUF 8 735,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25,5 A, 80 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L SiJ128LDP (2 ajánlat)

A Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET nagyon alacsony QG és Qoss teljesítményveszteséggel és jobb hatékonysággal rendelkezik. A QG és Qoss nagyon alacsony teljesítménnyel csökkenti az áramvesztesége...

Vishay

SiJ128LDP-T1-GE3

kezdő: HUF 215,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25,5 A, 80 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L SiJ128LDP (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25,5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = SiJ128LDP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrá...

Vishay

SiJ128LDP-T1-GE3

kezdő: HUF 187,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 250 A, 1200 V, AG-62 MM FF6MR (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 250 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = FF6MR Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés Maximális nyelő forrásellenállás = 5.81 mΩ C...

Infineon

FF6MR12KM1BOSA1

kezdő: HUF 1 030 460,10*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 250 A, 1200 V, AG-62 MM FF6MR (1 ajánlat)

Az Infineon 62 mm-es, 1200 V-os, 6 m-es féláthidaló modul hideg SIC™ MOSFET-tel.Nagy áramsűrűség Alacsony kapcsolási veszteségek Kiváló kapu-oxid megbízhatóság A legnagyobb robusztusság a páratarta...

Infineon

FF6MR12KM1BOSA1

kezdő: HUF 105 828,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 250 A, 40 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 40V Infineon tápegység. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek termékválasztéka N csatornás eszközöket tartalmaz a felületszerelt és az ólmozott csomagokhoz és olyan...

Infineon

IRFS7437TRLPBF

kezdő: HUF 304,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 250 A, 40 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRFS7437TRLPBF

kezdő: HUF 3 956,60*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 250 A, 40 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Si (1 ajánlat)

A Infineon HEXFET teljesítmény MOSFET-EK a legújabb feldolgozási technikákat használják a rendkívül alacsony szilíciumtérellenállás eléréséhez. További jellemzői a design 175 ° C csomópont üzemi hő...

Infineon

AUIRFS8407TRL

kezdő: HUF 451 087,80*
800 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 250 A, 40 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 250 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...

Infineon

AUIRFS8407TRL

kezdő: HUF 1 224,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 250 A, 60 V, 3-tüskés, SC-85, SOT-323FL, UMT RU1L002SN Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 250 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = RU1L002SN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...

ROHM Semiconductor

RU1L002SNTL

kezdő: HUF 12,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 250 A, 60 V, 3-tüskés, SC-85, SOT-323FL, UMT RU1L002SN Egyszeres (1 ajánlat)

A MOSFET-ek mikrogyártási technológiával készülő, rendkívül alacsony ellenállású eszközök, amelyek alacsony áramfogyasztásuknak köszönhetően kiválóan alkalmasak mobilberendezésekhez. Széles választ...

ROHM Semiconductor

RU1L002SNTL

kezdő: HUF 18,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 301 302 303 304 305 306 307 308 309 310 311 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 915 cikk)