Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (12 007 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 700 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Sorozat = CoolMOS™ Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...
Infineon
IPW65R090CFD7XKSA1
kezdő: HUF 1 434,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 800 V, 3-tüskés, ISOPLUS247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFR44N80P
kezdő: HUF 5 596,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 800 V, 3-tüskés, ISOPLUS247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFR44N80P
kezdő: HUF 8 730,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 25,5 A, 80 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L SiJ128LDP (2 ajánlat) 
A Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET nagyon alacsony QG és Qoss teljesítményveszteséggel és jobb hatékonysággal rendelkezik. A QG és Qoss nagyon alacsony teljesítménnyel csökkenti az áramvesztesége...
Vishay
SiJ128LDP-T1-GE3
kezdő: HUF 215,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 25,5 A, 80 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L SiJ128LDP (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25,5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = SiJ128LDP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrá...
Vishay
SiJ128LDP-T1-GE3
kezdő: HUF 188,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 250 A, 1200 V, AG-62 MM FF6MR (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 250 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = FF6MR Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés Maximális nyelő forrásellenállás = 5.81 mΩ C...
Infineon
FF6MR12KM1BOSA1
kezdő: HUF 1 688 383,20*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 250 A, 1200 V, AG-62 MM FF6MR (1 ajánlat) 
Az Infineon 62 mm-es, 1200 V-os, 6 m-es féláthidaló modul hideg SIC™ MOSFET-tel.Nagy áramsűrűség Alacsony kapcsolási veszteségek Kiváló kapu-oxid megbízhatóság A legnagyobb robusztusság a páratarta...
Infineon
FF6MR12KM1BOSA1
kezdő: HUF 295 693,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 250 A, 40 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 40V Infineon tápegység. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek termékválasztéka N csatornás eszközöket tartalmaz a felületszerelt és az ólmozott csomagokhoz és olyan...
Infineon
IRFS7437TRLPBF
kezdő: HUF 303,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 250 A, 40 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 40V Infineon tápegység. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek termékválasztéka N csatornás eszközöket tartalmaz a felületszerelt és az ólmozott csomagokhoz és olyan...
Infineon
IRFS7437TRLPBF
kezdő: HUF 3 960,60*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 250 A, 40 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Si (1 ajánlat) 
A Infineon HEXFET teljesítmény MOSFET-EK a legújabb feldolgozási technikákat használják a rendkívül alacsony szilíciumtérellenállás eléréséhez. További jellemzői a design 175 ° C csomópont üzemi hő...
Infineon
AUIRFS8407TRL
kezdő: HUF 594 878,20*
800 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 250 A, 40 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 250 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...
Infineon
AUIRFS8407TRL
kezdő: HUF 1 509,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 250 A, 60 V, 3-tüskés, SC-85, SOT-323FL, UMT RU1L002SN Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 250 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = RU1L002SN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...
ROHM Semiconductor
RU1L002SNTL
kezdő: HUF 12,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 250 A, 60 V, 4 + Tab-tüskés, DFN NTMFS5H600NL (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor
onsemi
NTMFS5H600NLT1G
kezdő: HUF 1 009,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 250 A, 60 V, 4 + Tab-tüskés, DFN NTMFS5H600NL (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor
onsemi
NTMFS5H600NLT1G
kezdő: HUF 1 796 835,51*
1 500 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 250 A, 60 V, 8-tüskés, LFPAK8 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 250 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = LFPAK8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...
onsemi
NTMJS1D6N06CLTWG
kezdő: HUF 1 553 352,00*
3 000 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   301   302   303   304   305   306   307   308   309   310   311   ..   801   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.