Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 915 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☑
☐
Kép
Minőséghitelesítő pecsét x
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 253 A, 30 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 253 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PQFN 3 x 3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma ch...
Infineon
IQE008N03LM5ATMA1
nincs adat
kezdő: HUF 615,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 253 A, 30 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 253 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PQFN 3 x 3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma ch...
Infineon
IQE008N03LM5CGATMA1
nincs adat
kezdő: HUF 1 504 779,00*
5 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 253 A, 30 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 253 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PQFN 3 x 3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma ch...
Infineon
IQE008N03LM5CGATMA1
nincs adat
kezdő: HUF 303,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 258 A., 40 V, 8-tüskés, LFPAK8 Egyszeres (1 ajánlat) 
Ipari MOSFET 5 x 6 mm-es LFPAK csomagban, kompakt és hatékony kialakításhoz, nagy hőteljesítményt is nyújtó kivitelben.
onsemi
NTMYS1D2N04CLTWG
nincs adat
kezdő: HUF 1 303 792,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 258 A., 40 V, 8-tüskés, LFPAK8 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 258 A. Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = LFPAK8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő fo...
onsemi
NTMYS1D2N04CLTWG
nincs adat
kezdő: HUF 3 363,90*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 259 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 NexFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
Texas Instruments
CSD19536KCS
nincs adat
kezdő: HUF 814,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 259 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 NexFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
Texas Instruments
CSD19536KCS
nincs adat
kezdő: HUF 2 362,60*
2 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STP24NF10
nincs adat
kezdő: HUF 120,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STP24NF10
nincs adat
kezdő: HUF 614,70*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1
Infineon
IMW120R090M1HXKSA1
nincs adat
kezdő: HUF 1 488,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1
Infineon
IMW120R090M1HXKSA1
nincs adat
kezdő: HUF 1 486,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFK26N120P
nincs adat
kezdő: HUF 10 269,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFK26N120P
nincs adat
kezdő: HUF 339 179,40*
25 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 IMZ1 Si (2 ajánlat) 
A TO247-4 tokozású Infineon CoolSiC 90 V-os, 1200-os SIC MOSFET a csúcstechnológiás Trench Semiconductor folyamatra épül, amely a teljesítmény és a megbízhatóság ötvözésére van optimalizálva. A hag...
Infineon
IMZ120R090M1HXKSA1
nincs adat
kezdő: HUF 1 543,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 IMZ1 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = IMZ1 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás =...
Infineon
IMZ120R090M1HXKSA1
nincs adat
kezdő: HUF 1 542,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   301   302   303   304   305   306   307   308   309   310   311   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.