MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (307/794 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, Taiwan Semiconductor

Taiwan Semiconductor

TSM2302CX RFG

kezdő: HUF 52,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET (20 V), on Semiconductor

onsemi

MGSF2N02ELT1G

kezdő: HUF 784,00*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 55 V, 3-tüskés, SOT-223 HEXFET Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...

Infineon

IRLL014NTRPBF

kezdő: HUF 74,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 55 V, 3-tüskés, SOT-223 HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRLL014NTRPBF

kezdő: HUF 2 467,90*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 2,8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOT-223 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chipe...

Infineon

ISP12DP06NMXTSA1

kezdő: HUF 224,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...

onsemi

NDT014L

kezdő: HUF 671,705*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

NDT014L

kezdő: HUF 2 477,70*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 IntelliFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

IntelliFET Önállóan védett MOSFET-ek, diódák B. Az IntelliFET önműködő MOSFET-ek, amelyek integrálják az ESD (Electrostatic-Érzékeny Eszköz), a túláram, a túlfeszültség és a túlmelegedés elleni véd...

Diodes

ZXMS6006SGTA

kezdő: HUF 225,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 IntelliFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Diodes

ZXMS6006SGTA

kezdő: HUF 219 101,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) QFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

QFET® N-csatornás MOSFET, max. 5,9 A, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működ...

onsemi

FQD5N60CTM

kezdő: HUF 427 179,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) QFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

FQD5N60CTM

kezdő: HUF 2 866,30*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 70 V, 3-tüskés, SOT-223 IntelliFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

Diodes

ZXMS6006DGTA

kezdő: HUF 230,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 70 V, 3-tüskés, SOT-223 IntelliFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Diodes

ZXMS6006DGTA

kezdő: HUF 195 820,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-323 DMN2053UW (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 2,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Sorozat = DMN2053UW Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...

Diodes

DMN2053UWQ-7

kezdő: HUF 111,005*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-323 DMN2053UW (1 ajánlat)

A DiodesZetex DMN2053UW sorozatú MOSFET-et úgy tervezték, hogy minimalizálja a bekapcsolt állapotú ellenállást, kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn, ami ideálissá teszi a nagy hatékonyságú...

Diodes

DMN2053UWQ-7

kezdő: HUF 37,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 301 302 303 304 305 306 307 308 309 310 311 .. 794 előre

MOSFET-ek (11 900 cikk)