MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (31/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET modul, 1 elem/chip, 30 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (2 ajánlat)

Az STMicroelectronics új MDmesh™ M6 technológiája magában foglalja az SJ MOSFET-EK ismert és konszolidált MDmesh-családjának legújabb fejlesztései által elért eredményeket. Az STMicroelectronics az...

ST Microelectronics

STF36N60M6

kezdő: HUF 1 237,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 30 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...

ST Microelectronics

STF36N60M6

kezdő: HUF 1 236,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat)

Az STMicroelectronics autóipari minőségű szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET technológiát az ST Advanced and innovative 2ngenerációs SiC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. A készülék rendkív...

ST Microelectronics

SCTW40N120G2VAG

kezdő: HUF 5 789,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...

ST Microelectronics

SCTW40N120G2VAG

kezdő: HUF 6 404,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (2 ajánlat)

ST Microelectronics

SCTH40N120G2V7AG

kezdő: HUF 4 900,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásellen...

ST Microelectronics

SCTH40N120G2V7AG

kezdő: HUF 4 894,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (2 ajánlat)

ST Microelectronics

SCTW100N65G2AG

kezdő: HUF 10 646,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (1 ajánlat)

ST Microelectronics

SCTW100N65G2AG

kezdő: HUF 10 998,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 38 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 38 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...

ST Microelectronics

STWA65N60DM6

kezdő: HUF 1 907,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 38 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (1 ajánlat)

Az STMicroelectronics N-csatornás Power MOSFET az MDmesh™ DM6 gyors helyreállító diódasorozat része. Az MDmesh gyorsgenerációs rendszerrel összehasonlítva a DM6 egyesíti a nagyon alacsony helyreáll...

ST Microelectronics

STWA65N60DM6

kezdő: HUF 2 577,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 39 A, 600 V, Kiürítéses, 4-tüskés, TO-247-4 ST SiC (2 ajánlat)

ST Microelectronics

STW48N60M6-4

kezdő: HUF 1 731,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 39 A, 600 V, Kiürítéses, 4-tüskés, TO-247-4 ST SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 39 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...

ST Microelectronics

STW48N60M6-4

kezdő: HUF 2 216,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...

ST Microelectronics

SCTWA30N120

kezdő: HUF 7 903,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat)

Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...

ST Microelectronics

SCTWA30N120

kezdő: HUF 8 080,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat)

ST Microelectronics

SCTW35N65G2VAG

kezdő: HUF 4 165,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 915 cikk)