Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 994 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
vissza
Infineon
IPB200N15N3GATMA1
kezdő: HUF 408,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 6,8 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRF9640STRRPBF
kezdő: HUF 408,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STD11N60M6 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = STD11N60M6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...
ST Microelectronics
STD11N60M6
kezdő: HUF 408,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 60 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3...
Vishay
SQM50034EL_GE3
kezdő: HUF 409,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 131 A, 100 V, 5-tüskés, DFN5 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 131 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = DFN5 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő forr...
onsemi
NTMFS3D6N10MCLT1G
kezdő: HUF 409,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 52 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) UniFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
FDB52N20TM
kezdő: HUF 409,00*
db-ként
MOSFET, 1 A, 100 V, HVMDIP (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 1 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = HVMDIP Rögzítés típusa = Furatszerelt
Vishay
IRFD9120PBF
kezdő: HUF 410,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 900 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STP9NK90Z
kezdő: HUF 410,00*
db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 200 A, 40 V, 8-tüskés, LFPAK8 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 200 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = LFPAK8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...
onsemi
NVMJS1D5N04CLTWG
kezdő: HUF 411,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 137 A, 12 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L P-Channel 12 V (1 ajánlat) 
A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.AEC-Q101-minősítés 100 % RG és UIS tesztelve Vékony...
Vishay
SQJ123ELP-T1_GE3
kezdő: HUF 411,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 250 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFP244PBF
kezdő: HUF 411,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 353 A, 24 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 12 V - 25 V, Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokb...
Infineon
IRF1324PBF
kezdő: HUF 411,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 37,1 A, 60 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 37,1 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növek...
Vishay
SIR5623DP-T1-RE3
kezdő: HUF 411,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220 FP E (1 ajánlat) 
A Vishay e sorozatú teljesítmény MOSFET vékony ólomból 220 FULLPAK tokozású, 6 A-es leeresztődési árammal rendelkezik.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (Co(er)) Keveseb...
Vishay
SIHA15N80AE-GE3
kezdő: HUF 411,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 70 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 70 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = TO-220AB Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1
ROHM Semiconductor
RX3L07BGNC16
kezdő: HUF 411,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   301   302   303   304   305   306   307   308   309   310   311   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.