MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (311/801 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFH26N60P

kezdő: HUF 2 449,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFH26N60P

kezdő: HUF 55 988,40*
30 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 600 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = PowerPAK 8 x 8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Elemek szám...

Vishay

SiHH105N60EF-T1GE3

kezdő: HUF 1 120,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 600 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 (1 ajánlat)

Vishay

SiHH105N60EF-T1GE3

kezdő: HUF 1 634,00*
db-ként

Infineon IPA60R360P7 tranzisztor 650 V (1 ajánlat)

Infineon

IPA60R360P7XKSA1

kezdő: HUF 334,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ P7 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolMOS™ P7 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellená...

Infineon

IPA60R360P7XKSA1

kezdő: HUF 381,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolSiC Szilikon (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...

Infineon

IMW65R072M1HXKSA1

kezdő: HUF 1 951,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolSiC Szilikon (1 ajánlat)

Infineon

IMW65R072M1HXKSA1

kezdő: HUF 2 602,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh M2 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-channel MDmesh™ M2 sorozat, STMicroelectronics. Nagyteljesítményű MOSFET-ek széles választéka az STMicroelektrronics cégtől. Alacsony kapupakítási töltéssel és kiváló kimeneti kapacitásokkal az M...

ST Microelectronics

STW33N60M2

kezdő: HUF 959,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh M2 Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STW33N60M2

kezdő: HUF 1 024,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolSiC Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás...

Infineon

IMZA65R083M1HXKSA1

kezdő: HUF 2 085,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolSiC Szilikon (1 ajánlat)

Infineon

IMZA65R083M1HXKSA1

kezdő: HUF 2 379,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 260 A, 100 V, 16-tüskés, PG HDSOP-16 (TOLT) OptiMOS™ 5 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 260 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = OptiMOS™ 5 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 16 Maximális kapu küsz...

Infineon

IAUS260N10S5N019TATMA1

kezdő: HUF 1 145,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 260 A, 100 V, 16-tüskés, PG HDSOP-16 (TOLT) OptiMOS™ 5 (1 ajánlat)

A Infineon IAUS260N10S5N019T egy 100 m-es, csúcshűtésű, 1.9 V-os MOSFET, amely az Infineon vezető OptiMOS -5 technológiáját alkalmazó TOLT tokozásban található. A készüléket 48 V-os alkalmazásokhoz...

Infineon

IAUS260N10S5N019TATMA1

kezdő: HUF 1 551,00*
db-ként

Infineon IAUT260N10S5N019 tranzisztor 100 V (1 ajánlat)

Infineon

IAUT260N10S5N019ATMA1

kezdő: HUF 3 898,02*
5 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 311 312 313 314 315 316 317 318 319 320 321 .. 801 előre

MOSFET-ek (12 007 cikk)