MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (311/794 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Összehasonlító ár

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 269 A, 75 V, 7-tüskés, D2PAK-7 HEXFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 269 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 75 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásell...

Infineon

IRFS7730TRL7PP

kezdő: HUF 592,00*
db-ként

Infineon IPD33CN10N G tranzisztor 100 V (1 ajánlat)

Infineon

IPD33CN10NGATMA1

kezdő: HUF 162,0242*
db-ként

kezdő: HUF 405 060,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS™ 2 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 27 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = OptiMOS™ 2 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrá...

Infineon

IPD33CN10NGATMA1

kezdő: HUF 178,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 IPP026N10NF2S (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 27 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = IPP026N10NF2S Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális kapu küszöbfeszü...

Infineon

IPP026N10NF2SAKMA1

kezdő: HUF 489,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 IPP026N10NF2S (1 ajánlat)

A Infineon IPP026N10NF2S az N csatornás teljesítmény MOSFET. a mosfet leeresztő forrás feszültsége a 100 V. Sokféle alkalmazást támogat, és a standard érintkezőkiosztás lehetővé teszi a leejtést. E...

Infineon

IPP026N10NF2SAKMA1

kezdő: HUF 797,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 150 V, 8-tüskés, PQFN8 UltraFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

UlFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor. Az UItraFET® Árok MOSFET kombájn jellemzői, amelyek a teljesítményátalakítási alkalmazások teljesítményszintjét teszik lehetővé. A készülék képes ellenállni ...

onsemi

FDMS2572

kezdő: HUF 356,92134*
db-ként

kezdő: HUF 1 070 764,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 150 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 DMNH15H110SPS (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 27 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Sorozat = DMNH15H110SPS Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő fo...

Diodes

DMNH15H110SPS-13

kezdő: HUF 144,3564*
db-ként

kezdő: HUF 360 891,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 150 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 DMNH15H110SPS (1 ajánlat)

A DiodesZetex DMNH15H110SPS sorozat N-csatornás MOSFET. A motorvezérlő rendszerben, a karosszéria vezérlőelektronikájában és a DC-DC átalakítóban használják.100%-ban kifeszített induktív kapcsolóvi...

Diodes

DMNH15H110SPS-13

kezdő: HUF 215,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 20 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen III, Vishay Semiconductor

Vishay

SISS23DN-T1-GE3

kezdő: HUF 77,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 20 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen III, Vishay Semiconductor

Vishay

SISS23DN-T1-GE3

kezdő: HUF 173,83*
db-ként

kezdő: HUF 3 476,60*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SIR416DP-T1-GE3

kezdő: HUF 189,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SIR416DP-T1-GE3

kezdő: HUF 268,35*
db-ként

kezdő: HUF 2 683,50*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Si (1 ajánlat)

A Infineon HEXFET sorozat 55V N-csatornás teljesítmény MOSFET. Advanced feldolgozási technikákat alkalmaz a lehető legalacsonyabb szilíciumterületenkénti ellenállás elérése érdekében. Ez a MOSFET g...

Infineon

IRFR4105TRPBF

kezdő: HUF 141,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 27 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...

Infineon

IRFR4105TRPBF

kezdő: HUF 218,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 60 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (2 ajánlat)

Kiemelési mód, P-csatornás MOSFET on Semiconductor. A P-csatornás MOSFET-ek félvezetők termékcsaládján A Félszabadalmazott, magas sejtsűrűségű DMOS technológiát alkalmazzák. Ezt a rendkívül nagy sű...

onsemi

FQB27P06TM

kezdő: HUF 257,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 311 312 313 314 315 316 317 318 319 320 321 .. 794 előre

MOSFET-ek (11 900 cikk)