Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (12 007 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 60 V, 3-tüskés, TO-252 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 28 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = TO-252 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenk...
Infineon
IPD380P06NMATMA1
kezdő: HUF 506,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) EF Series Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET gyors diódával, EF sorozat, Vishay Semiconductor. Csökkentett Hátrameneti Helyreállítási Idő, Hátrameneti Helyreállítási Terhelés És Hátrameneti Helyreállítási Áram Alacsony érde...
Vishay
SIHB28N60EF-GE3
kezdő: HUF 1 018,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) EF Series Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET gyors diódával, EF sorozat, Vishay Semiconductor. Csökkentett Hátrameneti Helyreállítási Idő, Hátrameneti Helyreállítási Terhelés És Hátrameneti Helyreállítási Áram Alacsony érde...
Vishay
SiHB28N60EF-GE3
kezdő: HUF 1 526,90*
2 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) STB37N60 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 28 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = STB37N60 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...
ST Microelectronics
STB37N60DM2AG
kezdő: HUF 1 402,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) STB37N60 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 28 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = STB37N60 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...
ST Microelectronics
STB37N60DM2AG
kezdő: HUF 1 543,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220FP MDmesh DM2 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-Channel MDgmesh DM2 sorozat, STMicroelectronics. Az MDmesh DM2 MOSFET-ek alacsony RDS(on) funkcióval és A hatékonyság Érdekében Jobb fordított dióda-visszaállási idővel rendelkeznek, ez a sorozat...
ST Microelectronics
STF35N60DM2
kezdő: HUF 1 179,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220FP MDmesh DM2 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel MDgmesh DM2 sorozat, STMicroelectronics. Az MDmesh DM2 MOSFET-ek alacsony RDS(on) funkcióval és A hatékonyság Érdekében Jobb fordított dióda-visszaállási idővel rendelkeznek, ez a sorozat...
ST Microelectronics
STF35N60DM2
kezdő: HUF 54 688,10*
50 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh DM2 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-Channel MDgmesh DM2 sorozat, STMicroelectronics. Az MDmesh DM2 MOSFET-ek alacsony RDS(on) funkcióval és A hatékonyság Érdekében Jobb fordított dióda-visszaállási idővel rendelkeznek, ez a sorozat...
ST Microelectronics
STW35N60DM2
kezdő: HUF 1 570,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh DM2 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel MDgmesh DM2 sorozat, STMicroelectronics. Az MDmesh DM2 MOSFET-ek alacsony RDS(on) funkcióval és A hatékonyság Érdekében Jobb fordított dióda-visszaállási idővel rendelkeznek, ez a sorozat...
ST Microelectronics
STW35N60DM2
kezdő: HUF 35 367,2001*
30 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 600 V, 3-tüskés, TO-3PN HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFQ28N60P3
kezdő: HUF 1 379,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolSiC Szilikon (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 28 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...
Infineon
IMZA65R072M1HXKSA1
kezdő: HUF 2 472,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolSiC Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 28 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás...
Infineon
IMZA65R072M1HXKSA1
kezdő: HUF 2 820,00*
db-ként
Infineon IPL65R070C7 tranzisztor 600 V (2 ajánlat)
Infineon
IPL65R070C7AUMA1
kezdő: HUF 1 457,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 650 V, 5-tüskés, ThinPAK 8 x 8 CoolMOS™ C7 Si (1 ajánlat) 
A Infineon CoolMOS™ C7 szupercsatlakozó MOSFET sorozat forradalmi előrelépést jelent a technológia terén, amely a világ legalacsonyabb RDS(ON)/csomagját nyújtja, és alacsony kapcsolási veszteségéne...
Infineon
IPL65R070C7AUMA1
kezdő: HUF 1 962,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 650 V, 7-tüskés, TO-263-7 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 28 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Elemek száma chip...
Infineon
IMBG65R083M1HXTMA1
kezdő: HUF 1 360,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   311   312   313   314   315   316   317   318   319   320   321   ..   801   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.