Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 900 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☑
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor
1
onsemi
FDD3860
kezdő: HUF 742,90*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 150 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor
2
onsemi
FDB2572
kezdő: HUF 332,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 150 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor
1
onsemi
FDB2572
kezdő: HUF 671,10*
2 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 150 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Egyszeres (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, TrendFET akár Gen III, Vishay Semiconductor
2
Vishay
SIR632DP-T1-RE3
kezdő: HUF 164,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 150 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Egyszeres (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, TrendFET akár Gen III, Vishay Semiconductor
1
Vishay
SIR632DP-T1-RE3
kezdő: HUF 1 565,10*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8 TrenchFET (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...
2
Vishay
SI4459ADY-T1-GE3
kezdő: HUF 318,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8 TrenchFET (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...
1
Vishay
SI4459ADY-T1-GE3
kezdő: HUF 2 568,90*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 30 V, 8-tüskés, WDFN NTTFS4C02N Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = NTTFS4C02N Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
1
onsemi
NTTFS4C02NTAG
kezdő: HUF 123,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 30 V, 8-tüskés, WDFN NTTFS4C02N Egyszeres (1 ajánlat) 
Teljesítmény-MOSFET, 30 V, 170 A, 2,25 mOhm, egy N-csatorna, μ8FLAlacsony RDS(be) a vezetési veszteségek minimalizálásáért Alacsony kapacitás a meghajtási veszteségek minimalizálásáért Optimalizált...
1
onsemi
NTTFS4C02NTAG
kezdő: HUF 3 912,60*
25 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 55 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...
3
Infineon
IRFZ34NPBF
kezdő: HUF 168,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 55 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...
1
Infineon
IRFZ34NPBF
kezdő: HUF 7 374,20*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E Series Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, E-sorozat, alacsony érdemű, Vishay Semiconductor. Az E sorozatú Power MOSFET-ek a Vishay cégtől nagy feszültségű tranzisztorok, amelyek ultraalacsony maximális ellenállással, al...
1
Vishay
SIHB30N60E-GE3
kezdő: HUF 64 202,10*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E Series Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, E-sorozat, alacsony érdemű, Vishay Semiconductor. Az E sorozatú Power MOSFET-ek a Vishay cégtől nagy feszültségű tranzisztorok, amelyek ultraalacsony maximális ellenállással, al...
1
Vishay
SIHB30N60E-GE3
kezdő: HUF 1 354,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SiHB105N60EF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = SiHB105N60EF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...
1
Vishay
SIHB105N60EF-GE3
kezdő: HUF 635,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SiHB105N60EF (1 ajánlat) 
A Vishay EF sorozatú Power MOSFET gyors ház diódával ellátott negyedik generációs e-sorozatú technológiával rendelkezik. Csökkentette a szolgáltatóváltás és -vezetés veszteségeit.Kis jósági tényező...
1
Vishay
SIHB105N60EF-GE3
kezdő: HUF 588,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   311   312   313   314   315   316   317   318   319   320   321   ..   794   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.