| | | | | | | | Kép | | | | | Megrendelés | | | |
|
|
kezdő: HUF 148,58* db-ként |
kezdő: HUF 742,90* 5 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 332,00* db-ként |
kezdő: HUF 332,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 335,55* db-ként |
kezdő: HUF 671,10* 2 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 164,00* db-ként |
kezdő: HUF 164,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 313,02* db-ként |
kezdő: HUF 1 565,10* 5 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 318,00* db-ként |
kezdő: HUF 318,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 513,78* db-ként |
kezdő: HUF 2 568,90* 5 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 123,00* db-ként |
kezdő: HUF 123,00* db-ként |
| |
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 30 V, 8-tüskés, WDFN NTTFS4C02N Egyszeres (1 ajánlat) Teljesítmény-MOSFET, 30 V, 170 A, 2,25 mOhm, egy N-csatorna, μ8FLAlacsony RDS(be) a vezetési veszteségek minimalizálásáért Alacsony kapacitás a meghajtási veszteségek minimalizálásáért Optimalizált... |
|
kezdő: HUF 156,504* db-ként |
kezdő: HUF 3 912,60* 25 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 168,00* db-ként |
kezdő: HUF 168,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 147,484* db-ként |
kezdő: HUF 7 374,20* 50 db-ként |
| |
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E Series Egyszeres Si (1 ajánlat) N-csatornás MOSFET, E-sorozat, alacsony érdemű, Vishay Semiconductor. Az E sorozatú Power MOSFET-ek a Vishay cégtől nagy feszültségű tranzisztorok, amelyek ultraalacsony maximális ellenállással, al... |
|
kezdő: HUF 1 284,042* db-ként |
kezdő: HUF 64 202,10* 50 db-ként |
| |
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E Series Egyszeres Si (1 ajánlat) N-csatornás MOSFET, E-sorozat, alacsony érdemű, Vishay Semiconductor. Az E sorozatú Power MOSFET-ek a Vishay cégtől nagy feszültségű tranzisztorok, amelyek ultraalacsony maximális ellenállással, al... |
|
kezdő: HUF 1 354,00* db-ként |
kezdő: HUF 1 354,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 635,00* db-ként |
kezdő: HUF 635,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 588,00* db-ként |
kezdő: HUF 588,00* db-ként |
| |
|