MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (323/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Összehasonlító ár

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDD3860

kezdő: HUF 138,98*
db-ként

kezdő: HUF 694,90*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 150 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDB2572

kezdő: HUF 330,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 150 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDB2572

kezdő: HUF 333,05*
db-ként

kezdő: HUF 666,10*
2 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 150 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Egyszeres (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, TrendFET akár Gen III, Vishay Semiconductor

Vishay

SIR632DP-T1-RE3

kezdő: HUF 168,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 150 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Egyszeres (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, TrendFET akár Gen III, Vishay Semiconductor

Vishay

SIR632DP-T1-RE3

kezdő: HUF 311,62*
db-ként

kezdő: HUF 1 558,10*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8 TrenchFET (2 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...

Vishay

SI4459ADY-T1-GE3

kezdő: HUF 316,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8 TrenchFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...

Vishay

SI4459ADY-T1-GE3

kezdő: HUF 510,18*
db-ként

kezdő: HUF 2 550,90*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 30 V, 8-tüskés, WDFN NTTFS4C02N Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = NTTFS4C02N Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...

onsemi

NTTFS4C02NTAG

kezdő: HUF 219,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 30 V, 8-tüskés, WDFN NTTFS4C02N Egyszeres (1 ajánlat)

Teljesítmény-MOSFET, 30 V, 170 A, 2,25 mOhm, egy N-csatorna, μ8FLAlacsony RDS(be) a vezetési veszteségek minimalizálásáért Alacsony kapacitás a meghajtási veszteségek minimalizálásáért Optimalizált...

onsemi

NTTFS4C02NTAG

kezdő: HUF 163,18*
db-ként

kezdő: HUF 4 079,50*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 55 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...

Infineon

IRFZ34NPBF

kezdő: HUF 168,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 55 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRFZ34NPBF

kezdő: HUF 152,726*
db-ként

kezdő: HUF 7 636,30*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E Series Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, E-sorozat, alacsony érdemű, Vishay Semiconductor. Az E sorozatú Power MOSFET-ek a Vishay cégtől nagy feszültségű tranzisztorok, amelyek ultraalacsony maximális ellenállással, al...

Vishay

SIHB30N60E-GE3

kezdő: HUF 1 292,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E Series Egyszeres Si (1 ajánlat)

Vishay

SIHB30N60E-GE3

kezdő: HUF 1 347,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SiHB105N60EF (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = SiHB105N60EF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...

Vishay

SIHB105N60EF-GE3

kezdő: HUF 633,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SiHB105N60EF (1 ajánlat)

A Vishay EF sorozatú Power MOSFET gyors ház diódával ellátott negyedik generációs e-sorozatú technológiával rendelkezik. Csökkentette a szolgáltatóváltás és -vezetés veszteségeit.Kis jósági tényező...

Vishay

SIHB105N60EF-GE3

kezdő: HUF 582,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 321 322 323 324 325 326 327 328 329 330 331 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 991 cikk)