Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (12 007 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 30 V, 8-tüskés, WDFN NTTFS4C02N Egyszeres (1 ajánlat) 
Teljesítmény-MOSFET, 30 V, 170 A, 2,25 mOhm, egy N-csatorna, μ8FLAlacsony RDS(be) a vezetési veszteségek minimalizálásáért Alacsony kapacitás a meghajtási veszteségek minimalizálásáért Optimalizált...
onsemi
NTTFS4C02NTAG
kezdő: HUF 4 077,50*
25 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 55 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...
Infineon
IRFZ34NPBF
kezdő: HUF 166,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 55 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...
Infineon
IRFZ34NPBF
kezdő: HUF 7 600,30*
50 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E Series Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, E-sorozat, alacsony érdemű, Vishay Semiconductor. Az E sorozatú Power MOSFET-ek a Vishay cégtől nagy feszültségű tranzisztorok, amelyek ultraalacsony maximális ellenállással, al...
Vishay
SIHB30N60E-GE3
kezdő: HUF 1 284,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E Series Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, E-sorozat, alacsony érdemű, Vishay Semiconductor. Az E sorozatú Power MOSFET-ek a Vishay cégtől nagy feszültségű tranzisztorok, amelyek ultraalacsony maximális ellenállással, al...
Vishay
SIHB30N60E-GE3
kezdő: HUF 1 343,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SiHB105N60EF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = SiHB105N60EF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...
Vishay
SIHB105N60EF-GE3
kezdő: HUF 633,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SiHB105N60EF (1 ajánlat) 
A Vishay EF sorozatú Power MOSFET gyors ház diódával ellátott negyedik generációs e-sorozatú technológiával rendelkezik. Csökkentette a szolgáltatóváltás és -vezetés veszteségeit.Kis jósági tényező...
Vishay
SIHB105N60EF-GE3
kezdő: HUF 583,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 FP SiHA105N60EF (1 ajánlat) 
A Vishay EF sorozatú Power MOSFET gyors ház diódával ellátott negyedik generációs e-sorozatú technológiával rendelkezik. Csökkentette a szolgáltatóváltás és -vezetés veszteségeit.Kis jósági tényező...
Vishay
SIHA105N60EF-GE3
kezdő: HUF 620,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 FP SiHA105N60EF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = SiHA105N60EF Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
Vishay
SIHA105N60EF-GE3
kezdő: HUF 754,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STP34NM60N
kezdő: HUF 1 316,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STP34NM60N
kezdő: HUF 856,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220FP E Series Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, E-sorozat, alacsony érdemű, Vishay Semiconductor. Az E sorozatú Power MOSFET-ek a Vishay cégtől nagy feszültségű tranzisztorok, amelyek ultraalacsony maximális ellenállással, al...
Vishay
SIHF30N60E-GE3
kezdő: HUF 1 132,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220FP E Series Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, E-sorozat, alacsony érdemű, Vishay Semiconductor. Az E sorozatú Power MOSFET-ek a Vishay cégtől nagy feszültségű tranzisztorok, amelyek ultraalacsony maximális ellenállással, al...
Vishay
SiHF30N60E-GE3
kezdő: HUF 1 864,20*
2 db-ként
Infineon IPW60R120P7 tranzisztor 600 V (1 ajánlat)
Infineon
IPW60R120P7XKSA1
kezdő: HUF 1 057,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ P7 (1 ajánlat) 
A Infineon 600V CoolMOS™ P7 szupercsatlakozó (SJ) MOSFET a 600V CoolMOS™ P6 sorozat utódja. Továbbra is egyensúlyt teremt a nagy hatékonyság és a tervezési folyamat egyszerű használata között. A Co...
Infineon
IPW60R120P7XKSA1
kezdő: HUF 999,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   321   322   323   324   325   326   327   328   329   330   331   ..   801   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.