MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (324/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 FP SiHA105N60EF (1 ajánlat)

A Vishay EF sorozatú Power MOSFET gyors ház diódával ellátott negyedik generációs e-sorozatú technológiával rendelkezik. Csökkentette a szolgáltatóváltás és -vezetés veszteségeit.Kis jósági tényező...

Vishay

SIHA105N60EF-GE3

kezdő: HUF 625,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 FP SiHA105N60EF (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = SiHA105N60EF Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...

Vishay

SIHA105N60EF-GE3

kezdő: HUF 755,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP34NM60N

kezdő: HUF 1 323,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP34NM60N

kezdő: HUF 857,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220FP E Series Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, E-sorozat, alacsony érdemű, Vishay Semiconductor. Az E sorozatú Power MOSFET-ek a Vishay cégtől nagy feszültségű tranzisztorok, amelyek ultraalacsony maximális ellenállással, al...

Vishay

SIHF30N60E-GE3

kezdő: HUF 1 130,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220FP E Series Egyszeres Si (1 ajánlat)

Vishay

SiHF30N60E-GE3

kezdő: HUF 1 865,20*
2 db-ként

Infineon IPW60R120P7 tranzisztor 600 V (1 ajánlat)

Infineon

IPW60R120P7XKSA1

kezdő: HUF 1 061,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ P7 (1 ajánlat)

A Infineon 600V CoolMOS™ P7 szupercsatlakozó (SJ) MOSFET a 600V CoolMOS™ P6 sorozat utódja. Továbbra is egyensúlyt teremt a nagy hatékonyság és a tervezési folyamat egyszerű használata között. A Co...

Infineon

IPW60R120P7XKSA1

kezdő: HUF 1 003,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 FDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW34NM60ND

kezdő: HUF 79 799,70*
30 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 FDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW34NM60ND

kezdő: HUF 2 144,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW34NM60N

kezdő: HUF 1 323,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW34NM60N

kezdő: HUF 1 412,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC E Series Egyszeres Si (1 ajánlat)

Vishay

SIHG30N60E-GE3

kezdő: HUF 1 497,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC E Series Egyszeres Si (1 ajánlat)

Vishay

SiHG30N60E-GE3

kezdő: HUF 1 504,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC SiHG105N60EF (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = SiHG105N60EF Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,102 Ω Csatorna mód = ...

Vishay

SIHG105N60EF-GE3

kezdő: HUF 769,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 321 322 323 324 325 326 327 328 329 330 331 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 991 cikk)