MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (325/801 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 FDmesh Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW34NM60ND

kezdő: HUF 1 293,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 FDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW34NM60ND

kezdő: HUF 2 144,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW34NM60N

kezdő: HUF 1 311,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW34NM60N

kezdő: HUF 1 415,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC E Series Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, E-sorozat, alacsony érdemű, Vishay Semiconductor. Az E sorozatú Power MOSFET-ek a Vishay cégtől nagy feszültségű tranzisztorok, amelyek ultraalacsony maximális ellenállással, al...

Vishay

SIHG30N60E-GE3

kezdő: HUF 1 499,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC E Series Egyszeres Si (1 ajánlat)

Vishay

SiHG30N60E-GE3

kezdő: HUF 1 501,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC SiHG105N60EF (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = SiHG105N60EF Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,102 Ω Csatorna mód = ...

Vishay

SIHG105N60EF-GE3

kezdő: HUF 771,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC SiHG105N60EF (1 ajánlat)

A Vishay EF sorozatú Power MOSFET gyors ház diódával ellátott negyedik generációs e-sorozatú technológiával rendelkezik. Csökkentette a szolgáltatóváltás és -vezetés veszteségeit.Kis jósági tényező...

Vishay

SIHG105N60EF-GE3

kezdő: HUF 807,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-3PF (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-3PF Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes ...

ROHM Semiconductor

R6077VNZC17

kezdő: HUF 1 873,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-3PF (1 ajánlat)

ROHM Semiconductor

R6077VNZC17

kezdő: HUF 2 456,00*
db-ként

Infineon IPL60R065C7 tranzisztor 600 V (1 ajánlat)

Infineon

IPL60R065C7AUMA1

kezdő: HUF 1 403,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 5-tüskés, ThinPAK 8 x 8 CoolMOS™ C7 Si (1 ajánlat)

A Infineon 600V CoolMOS™ C7 szupercsatlakozó (SJ) MOSFET sorozat a CoolMOS™ CP-hez képest ∼50%-kal csökkenti a kikapcsolási veszteségeket (e oss), kiemelkedő teljesítményt nyújtva a PFC, TTF és más...

Infineon

IPL60R065C7AUMA1

kezdő: HUF 1 363,00*
db-ként

Infineon IPT60R080G7 tranzisztor 600 V (1 ajánlat)

Infineon

IPT60R080G7XTMA1

kezdő: HUF 1 210,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 8-tüskés, HSOF-8 CoolMOS™ G7 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = HSOF-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...

Infineon

IPT60R080G7XTMA1

kezdő: HUF 1 555,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 8-tüskés, PowerPAK 10 x 12 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = PowerPAK 10 x 12 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek sz...

Vishay

SIHK075N60E-T1-GE3

kezdő: HUF 1 136,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 321 322 323 324 325 326 327 328 329 330 331 .. 801 előre

MOSFET-ek (12 007 cikk)