MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (341/794 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Minőséghitelesítő pecsét

marginDiff

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 3.2 A, 100 V, 3-tüskés, SOT-223 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDT86106LZ

nincs adat

berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 993,40*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.2 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET (20 V), on Semiconductor

onsemi

NTR4501NT1G

nincs adat

berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 55,90*
2 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.2 A, 5 A, 850 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E (2 ajánlat)

A Vishay SIHD6N80AE-GEO3 e sorozatú MOSFET.Alacsony érdem Alacsony effektív kapacitás (CISS) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség Rendkívül kis mértékű kaputöltés (Qg) Lavinaenergia-besorolású...

Vishay

SIHD6N80AE-GE3

nincs adat

berechnete Marge groesser
berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 174,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.2 A, 5 A, 850 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 3.2 A, 5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Sorozat = E Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásel...

Vishay

SIHD6N80AE-GE3

nincs adat

berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 150,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.2 A, 5 A, 850 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) E (2 ajánlat)

A Vishay SIHU6N80AE-GEO3 e sorozatú MOSFET.Alacsony érdem Alacsony effektív kapacitás (CISS) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség Rendkívül kis mértékű kaputöltés (Qg) Lavinaenergia-besorolású...

Vishay

SIHU6N80AE-GE3

nincs adat

berechnete Marge groesser
berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 194,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.2 A, 5 A, 850 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) E (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 3.2 A, 5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Sorozat = E Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...

Vishay

SIHU6N80AE-GE3

nincs adat

berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 195,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.3 A, 100 V, 3-tüskés, SOT-223 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDT86113LZ

nincs adat

berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 654,00*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.3 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF610PBF

nincs adat

berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 147,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.3 A, 400 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 300 V - 400 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF720PBF

nincs adat

berechnete Marge kleiner
berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 193,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.4 A, 100 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDS86106

nincs adat

berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 774,60*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.4 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-223 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...

onsemi

FDT458P

nincs adat

berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 1 269,90*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.4 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 HEXFET Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 30V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési ...

Infineon

IRLML6346TRPBF

nincs adat

berechnete Marge kleiner
berechnete Marge groesser
berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 37,00*
db-ként