MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (348/800 oldal)

Kép

Cikk

Ajánlatok

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 250 V, 3-tüskés, TO-3PN Egyszeres Si (1 ajánlat)

MOSFET N-csatornás, Toshiba sorozat, TK3x sorozat

Toshiba

TK30J25D,S1F(O

kezdő: HUF 4 051,70*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 30 V, 8-tüskés, Power 33 PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMC8010

kezdő: HUF 331,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 30 V, 8-tüskés, Power 33 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMC8010

kezdő: HUF 1 449,30*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

Vishay

SISA10DN-T1-GE3

kezdő: HUF 152,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

Vishay

SISA10DN-T1-GE3

kezdő: HUF 2 080,10*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SH Egyszeres (1 ajánlat)

N-csatornás 30 V-os (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET

Vishay

SISHA10DN-T1-GE3

kezdő: HUF 343 725,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SH Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8SH Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális...

Vishay

SISHA10DN-T1-GE3

kezdő: HUF 166,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI4164DY-T1-GE3

kezdő: HUF 217,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI4164DY-T1-GE3

kezdő: HUF 1 781,30*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 50 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (2 ajánlat)

Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...

onsemi

BUZ11_NR4941

kezdő: HUF 191,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Q-Class Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...

IXYS

IXFH30N50Q3

kezdő: HUF 113 873,5002*
30 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (3 ajánlat)

IXYS

IXFH30N50Q3

kezdő: HUF 3 123,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SIHG32N50D-GE3

kezdő: HUF 1 239,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SiHG32N50D-GE3

kezdő: HUF 839,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 55 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...

Infineon

IRLZ34NSTRLPBF

kezdő: HUF 158,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 341 342 343 344 345 346 347 348 349 350 351 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 991 cikk)