MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (349/801 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI4164DY-T1-GE3

kezdő: HUF 1 774,30*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 50 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (2 ajánlat)

Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...

onsemi

BUZ11_NR4941

kezdő: HUF 192,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Q-Class Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...

IXYS

IXFH30N50Q3

kezdő: HUF 114 209,5002*
30 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (3 ajánlat)

IXYS

IXFH30N50Q3

kezdő: HUF 3 098,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SIHG32N50D-GE3

kezdő: HUF 1 239,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SiHG32N50D-GE3

kezdő: HUF 838,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 55 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...

Infineon

IRLZ34NSTRLPBF

kezdő: HUF 158,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 55 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRLZ34NSTRLPBF

kezdő: HUF 4 206,60*
20 db-ként

Infineon IPD26N06S2L-35 tranzisztor 40 V (1 ajánlat)

Infineon

IPD26N06S2L35ATMA2

kezdő: HUF 613,28*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 55 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) OptiMOS™ Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS sorozatú N-csatornás MOSFET DPAK tokozásban. A legnagyobb áramfelvétel, a legkisebb kapcsolási és vezetési teljesítményveszteség, valamint a kiváló minőségű és megbízható robusztus...

Infineon

IPD26N06S2L35ATMA2

kezdő: HUF 136,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

Infineon

IRFR4105ZTRPBF

kezdő: HUF 135,00*
db-ként

Infineon IRFR4105Z tranzisztor 60 V (1 ajánlat)

Infineon

IRFR4105ZPBF

kezdő: HUF 14 052,1005*
75 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRFR4105ZTRPBF

kezdő: HUF 4 758,80*
20 db-ként

Infineon IPD30N06S2L-13 tranzisztor 55 V (1 ajánlat)

Infineon

IPD30N06S2L13ATMA4

kezdő: HUF 225,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS™ (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V Sorozat = OptiMOS™ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásel...

Infineon

IPD30N06S2L13ATMA4

kezdő: HUF 314,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 341 342 343 344 345 346 347 348 349 350 351 .. 801 előre

MOSFET-ek (12 007 cikk)